探索光耦:电流传输比(CTR)——了解光耦的重要参数

集电极-发射极电压(VCE):输出侧的集电极-发射极电压VCE也会对CTR产生一定影响。长期使用中的性能变化在长期使用过程中,LED的光输出会逐渐衰减,从而导致CTR随时间降低。这意味着如果不在设计初期考虑这一点,设备长期运行可能会出现传输效率降低、性能下降的问题。因此,设计人员在选择光耦时,需要为CTR的下降留出余量,...

还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过

T2通过R1和RA汲取基极电流,因此T2处于开启状态(并且根据设计,T2是饱和的-集电极-发射极电压Vce接近于零),因此Vo位于由下式形成的分压器的中点R2&RE,介于+V和地之间。双晶体管施密特触发器现在假设Vi开始增加,T1的发射极电压由流入T2的电流保持固定,因此当Vi达到高于该值...

士兰微电子成功参展 AUTO TECH 2024 华南展

低VCE(sat)同时具备正温度系数低开关损耗低Qg和Cres采用AMB工艺高性能PPS外壳IGBT集成片上温度检测功能超声焊信号端子B3D模块SSM1R7PB12B3DTFMSSM1R7PB12B3DTFM是士兰微电子基于自主研发的SiCMOS芯片技术开发的六单元拓扑模块,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,为严苛环境条件下的逆变器...

深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造

VCE过电压保护(VCEOvervoltageProtection)。欠压锁定(UVLO,UndervoltageLockout)和过压锁定(OVLO,OvervoltageLockout)。6.诊断输出:具有开漏(OpenDrain)诊断输出,可以通过SPI监控详细的设备状态。7.灵活性和可编程性:每个功能的参数都可以通过SPI编程,使设备非常灵活,能够适应广泛的应用场景。8.引脚...

纳芯微带主动米勒钳位和DESAT保护功能的隔离驱动在汽车电控系统中...

通常,IGBT在饱和区工作时,一旦发生短路就会进入退饱和区。可以看到,在饱和区VCE电压一般不会超过2V;如果进入退饱和区,VCE就会快速上升,甚至达到系统电压。退饱和检测就是通过检测VCE电压来检测IGBT是否进入了退饱和区。3DESAT保护功能3.1DESAT检测外围电路配置和参数...

基础知识之晶体管

电子(负电荷)被集电极-发射极间电压(VCE)吸引并向集电极的电极方向移动(www.e993.com)2024年11月19日。这就是集电极电流IC。<电流方向与电子移动方向相反>晶体管工作示意图(NPN型)NPN和PNP晶体管晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型。从右图中也可以看出,主要是根据集电极引脚侧在电路中是吸入还是输出电流来区分使用晶体管。

深入浅出理解三极管|基极|晶体管|npn|集电极_网易订阅

本节以NPN三极管为例,介绍下三极管的特性。图1-27的曲线是NPN三极管的输出特性曲线,横坐标是CE之间的电压VCE,纵坐标是CE之间的电流IC,这些曲线主要就是描述基极电流IB、集电极电流ICE和VCE三者的关系。三极管有三个工作区,分别是饱和区、放大区和截至区。

必看!IGBT基础知识汇总!

IGBT静态特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线:其中左侧用于表示IC-VGE关系的曲线叫做转移特性曲线,右侧表示IC-VCE关系的曲线叫做输出特性曲线。1、转移特性曲线IGBT的转移特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。为了便于理解,这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。

最新一代低VCEsat晶体管功率损耗可减少80%

恩智浦半导体(NXP)近日发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的...

什么是共射放大器?手把手教你设计共射放大器

需要保证放大后的输出电压不超过摆幅限制(通常摆幅限制较大)。如果RC太大,就会出现下行削波,小RC也是如此。另外,判断功率是否超限:PC=VCE·IC。6)确定基极偏置电压根据VBE=0.6V,容易得到VB=VE+0.6(通过电阻分压来自电源的电压)。由于ib被认为很小且可以忽略不计,因此流过基极分压电阻(上图中的...