SiC MOSFET在电动汽车中的应用问题

SiCMOSFET与Si器件相比，其阈值电压Vgs(th)以及负向的最大电压的数值都更小；栅极上感应到的正负电压尖峰的串扰有可能导致不可预测的误开启或者栅极击穿，这将造成SiCMOSFET器件的退化甚至损坏，从而导致零部件出现异常，比如电动汽车中的主驱无法控制电机，造成整车电机的扭矩控制和速度控制的异常。2、SiCMOSFET的...

LDO这些性能参数,也许你并没有参透

控制元件ControlElement:通常是一个功率晶体管(如MOSFET或BJT),调节输入电压,以维持稳定的输出电压。目前主流的有PMOS和NMOS两种。LDO稳压器设计通常包含四种不同的通路元件:基于NPN型晶体管的稳压器、基于PNP型晶体管的稳压器、基于N通道MOSFET的稳压器和基于P通道MOSFET的稳压器。虽然说NPN、PNP晶体管型稳压器...

Boost升压电路原理讲解

在MOSFET开通时,输出滤波电容提供整个负载电流。电感在开关电源中,电感的作用是存储能量。电感的作用是维持一个恒定的电流,或者说,是限制电感中电流的变化。在Boost电路中,选择合适电感量通常用来限制流过它的纹波电流。电感的纹波电流正比于输入电压和MOSFET开通时间,反比于电感量。电感量的大小决定了连续模式和...

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

MOSFET功率耗散的最坏情况可能会出现在最低或最高输入电压下。该耗散功率是两种因素之和:在VIN(MIN)时达到最高的阻性耗散(占空比较高),以及在VIN(MAX)时达到最高的开关损耗(由于VIN??项的缘故)。一个好的选择应该在VIN的两种极端情况下具有大致相同的耗散,并且在整个VIN范围内保持均衡的阻性和开关损耗。如果...

MOSFET打开的过程

MOSFET的数据手册(datasheet)中常见的电容参数包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)。这些参数与MOSFET的Cgd,Cds和Cgs电容有关,但没有直接列出Cgd和Cgs的值。Ciss(输入电容):输入电容是从栅极到源极的总电容(我们一般通过控制GS之间的电压VGS作为输入,所以对于这个输入电压来说的电容,交流模型...

MOSFET器件的高压CV测试详解

利用4200A-CVIV多开关同时扫描多个SMU,将MOSFET器件的输出电压翻倍至400V的新方法(www.e993.com)2024年11月10日。这些测试通常在OFF状态(VGS=0V)下进行。通常在漏极有一个扫描SMU,使用4200A-CVIV内置的偏置能力,在每个终端测量电容。图14三个SMU同时扫描图14显示了连接到MOSFET的三个端口的三个扫描SMU。SMU1和SMU2将使用高达400V的差分电压...

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

Gfs:跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。在转移特性曲线中,。从下图转移特性曲线可以看出,温度不同,VGS(th)不同,相应的跨导差别很大。表9MOSFET的跨导图12MOSFET转移特性曲线2.3动态电气特性...

浮思特|深入解析SiC MOSFET与IGBT的区别

4.耐压能力SiCMOSFET通常具有更高的耐压能力，能够承受超过1200V甚至更高的电压。这使得SiCMOSFET在高压应用中，如电网变换器和高压直流输电系统中极具竞争力。三、应用场景SiCMOSFET的典型应用电动汽车：车载充电器、驱动逆变器等可再生能源：光伏逆变器、风力发电系统等工业自动化：高频电源、高效电机驱动...

技术向 | 基于功率系统的SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试及计算

若器件规格书给出详细的传输特性曲线,可以根据关断电流,在图5上取点来确认米勒平台电压。图5规格书传输特性曲线[8]对于SiIGBT而言,米勒平台电压基本保持不变,如图3所示。考虑到SiCMOSFET的短沟道效应,其漏极电压引起的沟道势垒降低(DIBL)效应明显,米勒平台应为图6所示的“米勒斜坡”[9],根据Qg曲线可以确定...

预见2024:2024年中国MOSFET行业市场规模、竞争格局及发展前景预测...

MOSFET是一种全控制型半导体功率分立器件,通过栅极电压的变化来控制输出电流的大小,并实现开通和关断。常用产品种类较多,按载流子类型可分为N型和P型MOSFET两大类。按沟道形成方式可分为增强型和耗尽型MOSFET两种,增强型MOSFET是主要产品类型。具有输入阻抗大、导通电阻小、功耗低、漏电小、工作频率高,工艺基本成熟,成本...