华为公司申请场效应晶体管专利,降低集成电路的工作电压,使集成...

金融界2023年12月8日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路“，公开号CN117203742A，申请日期为2021年7月。专利摘要显示，本申请提供一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路，该场效应晶体管可以包括：第一冷源极、第二冷源极、沟道、栅极，以及栅极...

三川智慧取得电磁水表供电电压调节电路专利,保证输出电压稳定确保...

专利摘要显示,本发明提供一种电磁水表供电电压调节电路,包括:第一场效应管、第二场效应管、储能电容、比较电路和积分电路;其中,比较电路的电源输入端与电池组连接,输出端与积分电路的反向输入端连接;积分电路的输出端与第二场效应管的栅极连接;第二场效应管的漏极与第一场效应管的栅极连接,第二场效应管的源极接地...

深圳市思远半导体取得场效应管相关专利,兼顾场效应管的打开速度和...

专利摘要显示,本发明实施例公开了场效应管的开关电路、控制方法及芯片,其中,开关电路包括电荷泵、场效应管、开启度检测电路和电流源;开启度检测电路用于检测场效应管的栅极的电压,电荷泵用于向电流源提供所需电流。电流源包括用于提供第一参考电流的第一参考支路、用于提供第二参考电流的第二参考支路、以及输出支路;当...

还分不清结型场效应管与绝缘栅?看这一文就够了,图表展现

JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写,由栅极、源极和漏极3个端子组成。在JFET中,电场施加在控制电流流动的栅极端子上。从漏极流向源极端子的电流与施加的栅极电压成正比。JFET基本上有两种类型,基本上是N沟道和P沟道。施加在栅极到源极端子的电压允许电子从源极移动到漏极。因此,从漏极流向源极的电流...

动力源取得直流开关专利,提高金属??氧化物半导体场效应晶体管的...

专利摘要显示,本发明的实施例公开了一种直流开关,涉及开关技术领域,为提高直流开关中的金属??氧化物半导体场效应晶体管的安全性而发明。包括开关主电路、驱动控制电路及开关采样电路,开关主电路包括MOS管,所述驱动控制电路的输入端用于连接控制器的输出端,驱动控制电路的输出端连接于MOS管;开关采样电路包括输入电压采样...

孙其君研究员团队AFM:基于范德华异质结的摩擦电垂直场效应晶体管

近日,中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士和孙其君研究员团队通过集成摩擦纳米发电机与石墨烯/二硫化钼(MoS2)垂直异质结,构筑了摩擦电垂直场效应晶体管新器件(tribotronicVFET),该器件在垂直方向上具有纳米级沟道长度,并展现出较大电流开关比和较高的开态电流密度(www.e993.com)2024年11月15日。该摩擦电VFET器件由垂直堆叠的石墨烯/MoS2...

吃透MOS管,看这篇就够了

控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性;上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生...

mos管怎么测试好坏

MOS管,即金属-氧化物半导体场效应晶体管,是现代电子设备中常用的重要元件。为了确保电子设备的稳定运行,测试MOS管的好坏显得尤为重要。以下将分点介绍几种常用的测试方法。###1.使用万用表测试**二极管测试**:首先,将万用表调至二极管测试模式。对于NMOS管,将红色探头连接源极,黑色探头连接漏极,此时万用表...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

S校正电容:串接在偏转线圈回路中,用于校正显像管边缘的延伸线性失真。消亮点电容:设置在视放电路中,用于关机时消除显像管上残余亮点的电容。启动电容:串接在单相电动机的副绕组上,为电动机提供启动移相交流电压,在电动机正常运转后与副绕组断开。3去耦电容...

MOS管在LED非隔离器中的应用方案

MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)被广泛应用于LED中,主要用于调节LED的亮度和电流,实现对LED的高效控制。在LED非隔离电源的应用方案中,MOS管(绝缘栅场效应管)扮演着关键性角色,提升LED非隔离电源的稳定性和安全性。LED非隔离设计主要应用于双绝缘产品,例如灯泡的替代品,LED和整个产品都封装在非导电塑料中,并...