国产光刻机里程碑式进展,外媒惊叹:大势已去,无法阻挡!

需要澄清的是，关于氟化氩光刻机（Arf）小于8nm的套刻精度，并不意味着它可以直接用于制造8nm芯片。套刻精度指的是前后两道光刻工序间图形对准的精度，而非芯片制造的直接工艺尺寸。因此，该光刻机主要适用于成熟芯片领域的制造。事实上，通过多重曝光技术，该光刻机理论上也能支持更先进制程芯片的制造，如14nm或...

阿斯麦:光刻机可以从荷兰出口中国,国产芯片制程技术能否突破?

中芯国际相较于台积电存在的两代技术差距，并非仅仅因为缺乏EUV光刻机。台积电已经实现了5nm芯片的量产，而中芯国际的技术仍停留在14nm阶段。这背后，台积电过去五年投入了高达3440亿的资金进行研发，积累了深厚的技术基础与大量的专业人才，这是中芯国际目前所无法比拟的。台积电创始人张忠谋在一次访谈中指出，只要台积...

不正常!国产光刻机官宣后国外网友沸腾,美荷却罕见沉默了?

另外还有一点,中国目前的光刻机国产率依旧很低,只有2.5%,并且在整机技术方面和海外具有较大的差距。有专业分析人士认为,未来5-10年的时间,中国的国内半导体布局会放在零组件的发展和90nm、28nm光刻机的研发量产上。从海关数据来看,2023年我国进口的光刻机数量高达225台,进口金额高达87.54亿美元,再创历史新高。

小米的3nm和燕东微用的光刻机

在国产光刻机迟迟不见动静的情况下,是不是国产芯片技术又要被拉大距离了?星空君认为并非如此。现在的制程并非真实的物理间距,在14nm以后,这些数字就几乎不存在任何物理上的意义了,仅仅相当于一个代号。成了各厂家的文字游戏,Intel的10nm在台积电那里叫7nm,在三星那里叫5nm。不否认台积电2nm技术的先进性,但和...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

波长为193nm(纳米)、分辨率≤65nm、套刻≤8nm……日前,工信部的一份文件,再次把国产光刻机推入公众视野,甚至传出国产DUV光刻机突破8nm工艺的“重磅消息”。9月9日,工信部旗下微信公众号“工信微报”推送了工信部于9月2日签发的关于印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》的通知文件,通知...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

“此次官宣的国产光刻机,是一个套刻≤8nm,分辨率65nm,干式,波长193nm,DUV光刻机(www.e993.com)2024年11月2日。”句子不算长,没有一个生僻字。但,如果不是对这行有了解的专业人士,有多少人能看懂?又能看懂多少个词?或许,要真的对这件事有概念,不被轻易带节奏,至少得先了解10件事。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

而指导目录中更为先进的氟化氩光刻机,其照明波长为193mm,分辨率≤65nm;套刻≤8nm。这一数据与ASML旗下TWINSCANXT:1460K最为接近。该型号照明波长为193mm,分辨率≤65nm。此外,该系统可以在偏振照明下实现低至57nm的生产分辨率。相比之下,ASML浸润式光刻机TWINSCANNXT1980Fi分辨率≤38nm。据民生证券研报,该...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

我们这里只是简单说下人家得出的结论。此次国产套刻指标≤8nm的氟化氩光刻机,实际制程约为55nm,技术水平仅相当于ASML于2015年二季度出货的TWINSCANXT1460K,甚至部分关键指标不如ASML2006年推出的干式DUV光刻机XT1450,所以总体差距在15—20年。对标有失偏颇,曝出尼康NSR-S636E狠角色...

美欧封锁成为中国自主创新的催化剂 国产光刻机破局而出

面对封锁,中国并未屈服,反倒是将其转化为了技术飞跃的动力。今年9月,工信部发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,国产光刻机的身影赫然在目,包括110nm的氟化氪光刻机与65nm的氟化氩光刻机,这一成就颠覆了外界对中国光刻机制造能力的认知,标志着从“造不出”到成功量产的巨大转折。

「一水」国产光刻机落后20年?回答几个大家比较关心的问题。

第二个问题:为什么我会说这台光刻机可能不是大家想象当中的那台设备?从工信部公布文件的参数来看,这台光刻机的最小分辨率是65nm,最小套刻精度是8nm。在国产光刻机工件台唯一供应商华卓精科的招股书中有这么一段话,公司研发的DWS系列纳米精度运动及测控系统主要适用于「干式步进式扫描光刻机」,可用于65nm及以上...