西安交通大学教授:微纳制造技术的发展趋势与发展建议

芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3D结构,而光刻技术是芯片制造的最核心工艺,能够将微小电路图形精确地转移到硅晶圆上。光刻技术不仅提高了芯片的精度和分辨率,还大幅提升了生产效率,降低了成本,并推动了技术创新和摩尔定律的延续。传统的光刻工艺是使用紫外(Ultraviolet,UV)曝光(350~430nm),但是衍射效...

双光束超分辨光刻技术的发展和未来 | 科技导报

然而,当前主流的极紫外光刻技术已经接近制造极限,需要更先进的技术来突破技术瓶颈。本文综述了基于双光束超分辨技术的光刻技术概念,并分析了其优势和潜力,同时提出了该技术面临的挑战和可能的解决方案,指出这种新型光刻技术有望在微纳制造领域扮演重要的角色。芯片是现代电子产品的核心组成部分,扮演着极为重要的角色。

光刻技术的过去、现在与未来

光刻机械技术和光学技术的进步促成了光刻技术在集成电路制造中的广泛应用。随着半导体器件尺寸的不断缩小,光刻技术成为制造微电子设备的核心方法之一。此时,光刻技术开始获得更高的精度和更好的分辨率。20世纪末和21世纪初,随着科技的进步和需求的提高,光刻技术在微电子工业中的重要性更加凸显。极紫外光刻等先进技术...

激光3D打印微器件:提升光学显微分辨率的新技术

本研究通过创新结合飞秒激光烧蚀和多光子光刻技术,成功制造出一种能显著提高光学显微镜横向分辨率的3D微型设备。研究团队开发的先进MPL策略使微球达到λ/8的几何精度,实现了超越传统光学极限的横向分辨率。这项突破为微结构辅助显微技术奠定基础,展示了多光子光刻在制造复杂光学元件方面的巨大潜力。未来,研究团队将进一步优化...

光刻工艺技术专题(三):低成本光刻技术之激光直写光刻

低成本光刻主要指的是无需投影成像的光刻技术,如掩模接近式光刻,激光直写光刻,无衍射极限的光学光刻等。尽管这些技术的产率、分辨率和工艺控制能力普遍低于DUV和EUV光刻,但是它们仍然广泛应用于微纳制造领域。本文简单介绍一下激光直写光刻技术。激光直写光刻不需要使用掩模,只需使用简单的聚焦光学系统就可以灵活地生成...

“超级光盘”诞生 我国在光存储领域获突破性进展

从光学显微技术，到当今“卡脖子”技术的光刻机，再到光存储技术，无一不被光学衍射极限所限制(www.e993.com)2024年11月27日。在2021年Science发布的全世界最前沿的125个科学问题中，突破衍射极限限制更是在物理领域高居首位。该超分辨光盘的成功研制在信息写入和读出都突破了这一物理学难题，有助于我国在存储领域突破“卡脖子”障碍，将在大数据...

EUV光刻机,大结局?

第一种提高光刻分辨率途径,光刻机的波长已经经历了从435nm(G-线)、365nm(I-线)、248nm(深紫外,DUV)、193nm(ArF,干式和水浸没式)到目前的13.5nm(极紫外,EUV)的发展历程。光学光刻机的演进第二种提高光刻分辨率途径,数值孔径NA越大,收集的衍射束就越多,光刻分辨率就越高。DUV光刻机投影透镜的数值孔径NA...

极端制造 | 双光子聚合光刻技术在成像光学领域的发展与应用

TPL通过高数值孔径物镜聚焦飞秒脉冲激光,在未固化的光刻胶中形成焦点。在焦点处能量超过阈值强度从而引发双光子吸收,使此处光刻胶聚合形成体素。因此,该技术可以在任意三维空间位置进行结构打印。TPL的优势包括无需对准的单步制造和实现微观至纳米级特征的能力,广泛应用于光学和纳米光子学领域,如折射光学、衍射元件和光学...

八种光刻技术盘点 国产化进展喜人

导读:随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术。光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上,通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。

中国芯片传来利好消息!国产光刻机的技术突破,让三星只能羡慕

根据媒体报道,武汉光电国家研究中心的甘棕松团队,已成功研发出9nm工艺制程的光刻机。与传统光刻机不同的是,此次的国产光刻机利用二束激光突破了光束衍射极限的限制,刻出了最小9nm线宽的线段,这也是我们独有的技术,我们也用着自主产权。不过需要知道的是,即便目前国产光刻机在9nm制程工艺方面的突破,与荷兰ASML所...