科技| 麻省理工团队成功研制出全新纳米级 3D 晶体管:量子效应加持...

为了克服这一限制,美国麻省理工学院团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。值得一提的是,这项研究部分由英特尔公司资助。他们也使用了垂直纳米线场效应晶体管(VNFET)技术,通过垂直定向结构而非传统的水平布局来管理电子流,从而避开了与水平晶体管相关的一些限制。...

哈工大(深圳)顶刊:二维集成电路领域取得重要研究进展!

该研究开发了基于超薄单晶铌酸镁高κ栅介质的二维场效应晶体管(FET)器件,突破了二维半导体材料与超薄单晶介电层的集成工艺和器件服役瓶颈,有效拓展了高可靠二维半导体晶体管和集成电路的实际应用。论文链接:httpsnature/articles/s41928-024-01245-6随着硅基芯片集成度的不断提高,芯片中最基本单元—场...

垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)又有新消息

CFET(垂直堆叠互补场效应晶体管)是一种CMOS工艺,其中晶体管垂直堆叠,而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面,比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管(NSFET,也称为环栅或GAA)。CFET将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。本文引用地址:CFET的概念最初由IMEC研究机构提出,被认为是继环栅多通道...

...深圳校区徐成彦、秦敬凯团队在二维集成电路领域取得重要研究进展

该研究开发了基于超薄单晶铌酸镁高κ栅介质的二维场效应晶体管(FET)器件,突破了二维半导体材料与超薄单晶介电层的集成工艺和器件服役瓶颈,有效拓展了高可靠二维半导体晶体管和集成电路的实际应用。随着硅基芯片集成度的不断提高,芯片中最基本单元—场效应晶体管(FET)的尺寸正逐渐逼近物理极限,面临短沟道效应和栅极漏电...

麻省理工团队成功研制出全新纳米级3D晶体管,垂直纳米线结构创新

为了克服这一限制,美国麻省理工学院团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。值得一提的是,这项研究部分由英特尔公司资助。他们也使用了垂直纳米线场效应晶体管(VNFET)技术,通过垂直定向结构而非传统的水平布局来管理电子流,从而避开了与水平晶体管相关的一些限制。

...在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的研究中取得新进展

近日,西安交通大学电信学部电子学院任巍教授、牛刚教授团队利用基于二硫化钼沟道和外延铁电HZO薄膜栅介质的光电晶体管实现了高响应度光电探测(www.e993.com)2024年11月14日。本工作是在精密微纳制造技术全国重点实验室和电子陶瓷与器件教育部重点实验室支持下完成的。该工作利用优化的具有背栅结构和肖特基对650nm波长光电响应进行了实验验证并实现良好的光...

具有触觉感知功能的有机晶体管研究进展

触觉感知电子学将以电荷传输为主的有机光电器件与以离子信号为主的生物体桥接起来,被认为是新一代人工智能系统构建的重要研究领域.有机晶体管通过电场诱导或电化学离子掺杂调控半导体的导电能力,显示出独特的光电特性.基于其本征柔性、可溶液加工性和生物相容性等特点,

半导体情报,科学家在WSe??场效应晶体管取得突破性成果!

在过去六十年中,晶体管尺寸的不断缩小得益于诸如鳍式场效应晶体管(FET)技术的创新、高介电常数绝缘材料的集成、改进的互连技术以及极紫外光刻技术的进步。这些技术不断推动了集成电路(IC)组件密度的提升。然而,尽管器件级的缩放取得了显著进展,封装级的进展却相对滞后,这突显了三维(3D)集成作为一种“正交缩放”方法...

芯导科技取得自对准场效应晶体管制备方法专利,可优化器件的性能

金融界2024年7月7日消息,天眼查知识产权信息显示,上海芯导电子科技股份有限公司取得一项名为“一种自对准的场效应晶体管及其制备方法“,授权公告号CN113299599B,申请日期为2021年4月。专利摘要显示,本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法,于硅基外延层的表面和栅极多晶硅的表面依次形成第二氧化层和第二介...

中国科大在二维器件范德华接触研究中取得进展

这一晶体管阵列的平均开关比为6.8×106,其中开关比大于106的器件占比达91.3%。晶体管阵列的优良性能和高度一致性进一步证明了全堆叠技术在实现二维电学器件可靠电学接触方面的优势,表明该技术有望为未来二维电学器件的工业级制造提供新的技术路径。图2.单层二硫化钼场效应晶体管阵列制备及电学性能。(a)全堆叠技术...