Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长取得重要进展

类石墨烯层状结构的Bi2Se3因其简单的能带结构、远大于室温的能量涨落体带隙,被认为是最有前景的拓扑绝缘体材料之一。拓扑绝缘体是一种近几年被发现的新型量子物质态,在能量无耗传输、自旋电子学以及量子计算机等方面有着很大的应用前景。拓扑绝缘体除了奇异的不受缺陷和非磁性杂质散射的拓扑表面态外,若在其中引入一...

仅44天接收! 最新Science 全面解读!具有大自旋霍尔角和共线自旋...

然后使用锁定技术收集HDP信号,该信号表现为调制偏振相关的光生电压的第一谐波。作为验证步骤,作者使用该方法评估了重金属如铂(Pt)和拓扑绝缘体Bi2Se3中的θsh和τs。所得值与通过自旋泵浦技术测定的值吻合得很好。随后,作者利用该技术对=4的RPP晶体进行了研究。图2B给出了封装前具有100nm厚的单晶薄片的双...

稳态强磁场实验装置在凝聚态物理学中的应用

通过强磁场研究材料的量子振荡也被广泛用于研究其他拓扑材料,如SrxBi2Se3,PdTe,TaSb2,并已用于实验验证PtBi2,WC中的三重简并节点和具有巨大异常霍尔效应的磁性外尔半金属Co3Sn2S2。图3(a)外尔半金属能带示意图;(b)TaAs磁扭矩、横向磁化率随磁场的变化二超导材料1908年荷兰低温物理学家昂内斯成功地液化了...

段镶锋Matter:杂化超晶格和人造量子固体平台的模块化自组装

Bi2Se3、In2Se3及MXenes材料如Ti3C2Tx等,现已成功合成了53种杂化超晶格结构,并发现了一些杂化超晶格材料具有许多新奇的物理特性,例如:TaS2/tBA超晶格的形成显著提高了2H-TaS2的超导转变温度;手性氨基酸分子的加入将分子手性引入到二维超晶格中;MoS2/Co(en)3Cl3超晶格自组装过程中的电荷转移使得材料整体具有两种组...

《Adv Mater》:阳离子缺陷工程用于高性能水性锌离子电池!

图1.a)Cu-Bi2-xSe3和原始Bi2Se3纳米片的合成示意图。b)Bi2Se3和Cu-Bi2-xSe3的XRD图(插图为Cu-Bi2-xSe3的晶体结构)。c)Cu-Bi2-xSe3纳米片的SEM图像。d)Cu-Bi2-xSe3的铜、铋和硒的EDS映射图。e)纯Bi2Se3和Cu-Bi2-xSe3的拉曼光谱。

Bi2Se3/MoTe2异质结构中大自旋分裂的宽幅理想二维Rashba电子气

据巨纳集团低维材料在线91cailiao的技术工程师Ronnie介绍,异质结构是现在的研究热点,Bi2Se3/MoTe2异质结构,使得一种理想的二维电子气(半导体自旋电子实现应用的关键)可在硒化铋超薄膜绝缘体中实现,该超薄膜用半导体MoTe2作衬底,在室温下生长即可制备(www.e993.com)2024年12月20日。

Nano Letters:介孔半导体Bi2Se3薄膜

Bi2Se3是一种带隙为0.3eV的半导体材料,具有独特的能带结构。昆士兰大学YusukeYamauchi和MinsuHan等人提出了一种可通过电沉积方法合成具有均匀孔径介孔Bi2Se3膜的强大平台。在这一平台中,嵌段共聚物胶束在电解质中充当软模板,从而创建了3D多孔纳米结构。通过控制嵌段共聚物的长度,孔径可精确地调节至9和17nm。

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在经过了几次尝试以后,2010年,戴希、方忠等人与张首晟合作,在《科学》杂志上发表论文指出,在碲化铋(Bi2Te3)、硒化铋(Bi2Se3)中掺入铬(Cr)、铁(Fe)后,将自发形成铁磁态,同时还能保持体系本身的拓扑特性,这将成为实现量子反常霍尔效应的最佳体系。

进展|新型网状β-EuSnAs高压晶体结构及其两步重构相变机制

在典型的拓扑绝缘体Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3中，已经成功地观察到了压力诱导的超导性。它们在环境压力下具有层状菱形（R-3m）结构并在高压下转变成为单斜（C2/m）晶体结构，并且这些结构相变往往伴随着超导相的产生或超导转变温度的突变，体现了结构与超导之间的强相关性。另一方面，EuSn2As2化合物在常压条件下（...

Bi??Se??超薄膜中上下表面态间的屏蔽库仑耦合 | 进展

小于实验值,且后续的自旋分辨的角分辨光电子谱实验[Nat.Phys.8616-622(2012)],铟掺杂诱导的拓扑相变实验[NanoLett.194627-4633(2019)],以及微探针输运实验[Adv.QuantumTechnol.2200043(2022)]中,均未观测到该能隙的拓扑性质,表明单粒子能带理论仍无法描述Bi2Se3超薄膜体系的能带结构及其输运...