中国振华集团永光电子申请氮化镓半桥表贴封装结构及工艺专利,使...

专利摘要显示,一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺,包括上桥芯片、下桥芯片、输出电极、输入正电极、输入负电极、上桥栅极控制电极、下桥栅极控制电极和基板,下桥芯片下方与基板固定连接,所述下桥芯片上方通过下桥锡珠分别与输出电极、下桥栅极控制电极、输入负电极相连,所述上桥芯片下方通过上桥锡珠分别与电极输出电极、上...

东微半导:专注底层结构创新,有望成长为国产高性能功率半导体领航者

公司凭借优秀的半导体器件结构底层创新与工艺创新能力,集中优势资源聚焦高性能高可靠性功率半导体器件的开发及产业化,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级领域的高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域实现了国产化替代。今年2月公司成功登陆上海证券交易所科创板并交出...

业界首款1700V氮化镓开关IC面世,碳化硅面临被替代?

氮化镓功率器件的外延结构可分为D-mode(Depletion-mode/耗尽型)和E-mode(Enhance-mode/增强型)两种。其中,耗尽型GaN是常开的,反之增强型GaN则是常关的。市场上大多数厂商都采用增强型结构,而PI采用的则是耗尽型结构,然后采用级联方式的“共源共栅”架构,在常开的耗尽型氮化镓器件下,串联一个小的MOS管。而MOSFET...

宽禁带半导体“渐入佳境”

半导体行业专家指出，氮化镓的生长和加工过程远比硅基半导体复杂得多，且由于氮化镓晶体结构的特殊性，往往需要使用蓝宝石或者碳化硅作为衬底。这些过程中的任何一个环节出现问题，都会导致成品率的大幅下降。此外，为满足新一代氮化镓的制造需求，制造设备在不断地更新换代，而具有更高精度和更好性能的新型设备价格不菲，...

乾照光电申请氮化镓系LED外延结构及其制备方法专利,提高有源层的...

乾照光电申请氮化镓系LED外延结构及其制备方法专利,提高有源层的内量子效率,提升LED芯片亮度,有源,量子,晶格,led,乾照光电,氮化镓系,外延结构

扬杰科技获得发明专利授权:“一种氮化镓MOSFET封装应力应变分布感...

提供了一种方便加工,提高检测可靠性的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构(www.e993.com)2024年11月19日。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的封装层,所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、覆盖在衬底底面上的绝缘层以及制作在绝缘层上的电极层,所述衬底的材料为单晶硅。所述电极层的材料为金,...

涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺

氮化镓功率器件和硅基芯片一样,制造环节主要包括设计和外延片生长、芯片制造和封装测试。表2氮化镓功率器件一般制造环节1、设计阶段氮化镓一般通过TCAD(计算机辅助设计技术)仿真,对结构和参数进行模拟仿真。氮化镓外延片可在硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底上进行生长,从成本和大批量生产考虑,外延的每一层的沉积一...

扬杰科技取得氮化镓MOSFET封装应力检测结构专利,该专利技术能提高...

提供了一种方便检测,提供检测可靠性的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的塑封层,所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、制作在衬底底面上的绝缘层、制作在绝缘层上的电极层,所述衬底的材料为单晶硅。本发明的氮化镓MOSFET塑封应力检测...

氮化镓在高压应用中提供强大的解决方案

能量损失–氮化镓vs.硅R=导通损耗-RDS(ON)C=开关损耗-COSSPowiGaN技术在高压应用中的优势相比之下,PowiGaN器件不表现出硅器件固有的雪崩击穿机制。它们的内部级联结构和高击穿电压(通常是额定电压的两倍以上)使它们能够承受高电压尖峰和长期的线路膨胀。这些器件在电压尖峰期间会暂时增加电阻,稍...

氮化镓龙头英诺赛科能够成功登陆港股吗?

再看费用端,作为IDM模式下的半导体企业,英诺赛科需要投入大量的研发资源同时支撑氮化镓的产品开发,以及生产工艺的提高。从英诺赛科自身的研发投入情况来看,2021/2022/2023年,英诺赛科研发开支分别为6.62/5.81/3.49亿元,之所以呈下降态势,是由于公司研发费用中包含大量产能扩张相关的工程测试开支,2021/2022/2023年工程测试开...