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双极晶体管的结构
台积电申请场效应晶体管和形成半导体结构的方法专利,使场效应晶体管具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度
6月7日 11:05 - 金融界网站
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台积电申请集成电路结构和制造高电压场效应晶体管的方法专利,制造高电压场效应晶体管的方法。
6月3日 20:10 - 金融界网站
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台积电申请半导体装置及其制造方法专利,实现在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管
1月19日 09:50 - 金融界网站
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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,降低晶体管的功耗,提高半导体结构的性能
1月5日 11:20 - 金融界网站
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台积电取得半导体结构专利,实现具有背栅晶体管的存储器装置
1月17日 11:15 - 金融界网站
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双极晶体管版图
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