三安集成电路申请异质结双极晶体管专利,降低异质结双极晶体管的...

所述异质结双极晶体管包括隔离区,所述隔离区具有衬底和叠设于所述衬底上的半导体层,所述隔离区还设置有集电极接触层,所述衬底对应所述集电极接触层设置有背孔,所述背孔内设置有与所述集电极接触层电连接的第一金属层,所述半导体层围绕所述集电极接触层设置有隔离槽,所述隔离槽的深度范围为大于或等于所述半导体层...

新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,赋能电动汽车整体性能提升

在技术要求方面,从新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的外观、尺寸、结构、电气性能、可焊性、有毒有害物质限量等方面对新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术规范提出了具体要求。针对试验方法,明确新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的外观、电气性能、可焊性、有毒有害物质限量等方面的试验方法。此外,明...

世界技术最先进、海拔最高电网侧带超容构网型静止同步调相机投运

该项目首次采用模块化多电平换流器+超容拓扑结构的柔性直流领域最新的前沿技术,采用的超级电容和高海拔IGBT(绝缘栅双极晶体管)元器件,代表了我国电力行业尖端技术装备,填补了有功惯量支撑这一电力补偿装置的技术空白。西藏是我国重要的清洁能源基地,在新型电力系统转型关键时期,电网侧带超容构网型SVG技术应用,为区域...

...微电取得电容可调的SGTIGBT结构专利,实现了绝缘栅双极型晶体管...

元胞中至少有一个深沟槽作为SGTIGBT的栅极,深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构。其特点是,元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区,深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽。第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连,浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。采用该结构实现了绝缘栅双极型晶体管输入电容、...

美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”

专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...

北京北方华创微电子装备有限公司申请形成凹槽的相关专利,可避免...

华羿微电子取得自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法专利来源:金融界上海积塔半导体申请沟槽型晶体管结构及其制备方法专利,工艺简单来源:金融界6.40W中芯国际申请半导体结构的形成方法专利,降低去除第一牺牲层的刻蚀工艺对凹槽暴露的沟道叠层结构的侧壁造成损伤的概率来源:金融界6.05W蔚来汽车申请沟槽栅...

双极型晶体管BJT应用需求增长 高性能产品市场占比不断提升

双极型晶体管(BJT)全称为双极性结型晶体管,指由两个PN结构成,可引出三个电极的晶体管。双极型晶体管具有耐久力好、功率控制能力强、工作效率高、灵敏度高等优势,在通信系统、汽车电子、家用电器、医疗器械、航空航天等领域拥有广阔应用前景。按照结构特点不同,双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两种类型。

...结型晶体管及其制造方法专利,能够有效的提升双极结型晶体管的...

专利摘要显示,本申请提供了一种双极结型晶体管及其制造方法,该晶体管包括:位于衬底上的第一阱区、第二阱区、第一注入区和第二注入区;第二阱区的底面和至少一个侧面与第一阱区接触;第一注入区位于第二阱区内;第二注入区横跨第一阱区和第二阱区,且第一注入区和第二注入区在横向上彼此间隔第一距离;第一注...

万润新能申请绝缘栅双极型晶体管的结温检测电路专利,提高绝缘栅...

结温检测电路包括:采样模块、峰值检测模块、复位模块、门级驱动单元、门级驱动电阻以及绝缘栅双极型晶体管;其中,门级驱动单元用于在绝缘栅双极型晶体管未达到峰值电压时驱动绝缘栅双极型晶体管导通,并在绝缘栅双极型晶体管达到峰值电压时驱动绝缘栅双极型晶体管断开同时驱动复位模块导通,峰值检测模块用于在复位模块导通时...

双极结型晶体管(BJT)市场现状分析

中国双极结型晶体管(BJT)行业市场调研报告涵盖了对过去五年内历史市场数据的统计与未来市场容量增长趋势的预测。2023年全球双极结型晶体管(BJT)市场规模达到62.22亿元(人民币),中国双极结型晶体管(BJT)市场规模达到x.x亿元。报告预计到2029年全球双极结型晶体管(BJT)市场规模将达到93.04亿元,在预测期间双极结型晶体管...