原材料粉末是塑造氮化硅陶瓷球优越性能的基石
氮化硅陶瓷球的制备始于高纯度、超细的氮化硅粉末。这些粉末的纯度直接影响到最终产品的化学稳定性和物理性能。高纯度的氮化硅粉末能够减少杂质对烧结过程及陶瓷体结构的干扰,从而提升陶瓷球的强度和耐腐蚀性。同时,粉末的粒度分布也是关键因素之一。粒度均匀的粉末有利于烧结过程中颗粒间的均匀接触和致密化,进而提高陶瓷...
高硬度“氮化硅碳化硅陶瓷”原理
我们需要了解什么是氮化硅碳化硅陶瓷。这是一种由氮化硅和碳化硅组成的复合材料,通过特定的制备工艺,使两种材料在微观层面上紧密结合,形成具有优异性能的陶瓷材料。氮化硅和碳化硅的硬度主要来源于其晶体结构和化学成分。不同的晶体结构决定了材料的硬度,如六方晶系结构的氮化硅和立方晶系结构的碳化硅都具有非常高的硬度。
热压烧结氮化硅陶瓷与钨钢的硬度对比分析
氮化硅属于六方晶系,在这种晶格结构中,原子间的结合力极强,使得材料能够承受极大的机械应力而不发生塑性变形。此外,通过热压烧结工艺处理后的氮化硅陶瓷,其晶粒细化且均匀分布,进一步提升了材料的硬度和强度。氮化硅陶瓷应用四、应用领域由于热压烧结氮化硅陶瓷和钨钢的高硬度和优异的力学性能,它们被广泛应用于各种...
探究黑灰色氮化硅陶瓷长条的耐温极限
氮化硅陶瓷具有两种晶体结构:α相和β相。在常规烧结过程中,α相会转变为更稳定的β相。这种转变赋予了材料更高的密度与强度。此外,氮化硅陶瓷的熔点高达约1900℃,这为其在高温环境中的应用提供了可能。氮化硅陶瓷长条工艺流程黑灰色氮化硅陶瓷长条的特性黑灰色氮化硅陶瓷长条,顾名思义,是指经过特殊工艺处理后...
智研咨询发布:HJT电池行业产业链全景、市场运行格局及发展趋势...
是利用晶体硅作为基体,与非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。P型氧化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜。标准晶体硅太阳能电池是一种同质结电池,即PN结是在同一种半导体材料上形成的,而异质结电池的PN结采用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在1990年发明出HIT电池并申请为注册商标,因此...
3D NAND,只能堆叠?
另一个显著的创新是用电荷陷阱单元取代了浮栅单元,这涉及更简化的工艺流程(www.e993.com)2024年9月17日。这两种单元类型的工作原理相对类似,但在电荷陷阱单元中,捕获层是绝缘体——通常是氮化硅——这减少了邻近单元之间的静电干扰。现在,大多数3D-NAND结构都以这种电荷陷阱单元为基础。
TCL中环:公司于2024年1月26日发布《2023年度业绩预告》
TCL中环董秘:您好,公司积极推动在沙特阿拉伯投资建设光伏晶体晶片工厂项目,目前已经派遣相关团队积极推进项目进程,公司将根据有关规定及时履行信息披露义务,感谢您的关注,谢谢。投资者:董秘好!烦请抽空回答:石英坩埚是消耗品,且高纯石英砂原材料还受制于国外的几家供应商。不知贵司有无尝试过用高热导氮化硅...
技术前沿:TFT薄膜晶体管——显示与图像传感器件底层单元
氢化非晶硅薄膜晶体管根据有源层、栅极和漏极的位置可以划分为交错型、共面性、反交错型和反共面型,如下图所示。a-Si:TFT的典型结构形式不同的结构形式,制作方法和电学性能也各不相同。目前,最常用的是反交错型结构。栅极和源极、漏极位于半导体层的两侧,这种结构也称为底栅TFT。首先在玻璃衬底上沉积栅极金...
中国现役顶尖芯片:技术挑战是什么?
首先,在基底上沉积一层材料,然后在顶部沉积另一层材料。该过程重复数次,直到给定的器件具有所需的层数。每个供应商都使用不同的一组材料来创建一堆层。例如,在三星的3DNAND技术中,该公司在基板上沉积氮化硅和二氧化硅的交替层。理论上,供应商可以堆叠无限数量的层。但随着更多层的添加,难点在于堆叠具有精确厚度...
最近热炒的“氮化镓”到底是什么?
半导体芯片结构分为衬底、外延和器件结构。衬底通常起支撑作用,外延为器件所需的特定薄膜,器件结构即利用光刻刻蚀等工序加工出具有一定电路图形的拓扑结构。第三代半导体目前主流器件形式为碳化硅基-碳化硅外延功率器件、碳化硅基-氮化镓外延射频器件。值得关注的一点是,目前主流氮化镓器件公司大多都采用碳化硅衬底,因为...