人造铁电氮化硼晶体

原则上,成功生长多层rBN薄膜需要满足两个核心条件:一是打破界面间B和N原子耦合的能量优势,确保每层BN晶格取向一致;二是精确控制每层BN晶格沿扶手椅方向以B-N键长的恒定半整数倍进行滑移,以实现纯相的ABC堆垛结构。为此,设计具有特殊表面结构的生长衬底显得尤为重要,其关键在于尽可能减少与rBN晶格的晶格失配。考虑到需...

研究人员开发出基于二维半导体制造高性能晶体管的方法

“为了制造具有垂直Pt/h-BN/MoS2结构的晶体管,我们首先使用丙酮、酒精和去离子水中的超声波清洗SiO2/Si基板,”Shen解释说。“使用电子束光刻技术在该基板上图案化源极和漏极电极(Ti/Au),并通过电子束沉积进行沉积。随后,将MoS2从天然晶体上剥离并转移到这些电极上以形成通道。通过湿转移将CVDh-BN...

有机半导体大突破!无需显著改变结构,新分子性能更优

据研究人员介绍,当用作有机发光二极管(OLED)中的蓝色主体时,BNBN蒽表现出3.1V的极低驱动电压,以及在电流利用率、能源效率和发光方面更高的效率。研究小组还利用X射线衍射仪研究了BNBN蒽衍生物的晶体结构,进一步证实了BNBN蒽衍生物的性质。该分析揭示了硼氮(BN)成键导致的结构变化,如键长和键角。“通过这项研究...

南航Angewandte:极化超薄BN诱导动态电子相互作用增强酸性氧析出

(k)RuO2/BNNS中对应的快速傅里叶反变换(IFFT)图像和RuO2(上)和BNNS(中)的原子结构。具有晶格匹配界面的RuO2/BNNS原子模型(下图)。RuO2/BN和RuO2/BNNS的(a)N1s,(b)B1s和(c)Ru3p的XPS光谱。(d)BN、BNNS和RuO2/BNNS的拉曼光谱和(e)傅氏红外光谱(FTIR)。(f)Ru在RuO2/BNNS、RuO2/...

SiC迎来劲敌?美国出招|带隙|sic|金刚石|晶体管_网易订阅

BN还具有四面体配位的sp3键结构,可出现多种同质异形体。纤锌矿结构(w-BN)可与III族氮化物形成合金,并在GaN模板衬底上进行晶格匹配生长,以实现更宽的带隙,这对于大功率电子器件中的电荷限制或紫外-可见光光电器件中的量子垒很有用。然而,BN在晶格参数和稳定晶相方面与III族氮化物非常不同;因此,很难...

清华大学乔娟《AM》:协同的分子内非共价相互作用实现稳定高效纯...

图4.a-b)基于4TCzBN和4TDTBN的OLED器件结构(a)及性能(b);c)稳定高效底发射蓝光TADF-OLED的CIEy–器件寿命图;d)蓝光TADF材料“长寿基因”BDE-ET1与器件寿命对数值之间的线性关系(www.e993.com)2024年11月15日。小结聚焦于十分重要但长期被忽视的Intra-NI对OLED分子的BDE及材料本征稳定性的综合影响,研究人员首次揭示了π-π、C-...

快离子导体的一般性理解和共同点

最优BN半径具有本质上低激活势垒的离子导体是非常可取的。sfic通过多面体表面表现出离子传导,导致迁移离子的配位环境发生动态变化。这些转变在扩散途径中产生结构瓶颈(BNs),直接影响与离子迁移相关的活化能垒。与面共享结构相比,边共享多面体通常呈现不太有利的离子传输途径。这是由于一般较小的bn,它们在协调环境中遇到...

创新突破!兼具高变形能力与强度的多晶氮化硼陶瓷诞生!

在图1c和图1d中,通过差分相位对比图像和高角度透射电子显微镜(HAADF-STEM)图像,研究者观察到了具有扭曲不同BN纳米片的层状结构。而在图1e中,透射电子显微镜(TEM)图像呈现了莫尔纹超晶格的存在,通过傅里叶变换图案表明了两组衍射斑点之间的旋转角度为27.8°。这些实验结果揭示了在1,600℃条件下烧结的陶瓷中存在着...

科学家合成二维层状钙钛矿单晶,攻克全有机二维杂化钙钛矿难题

图丨CL-v相2D全有机钙钛矿的晶体结构描述（来源：Science）B位点被NH4+占据，X位点被PF6-占据。在使用CMD+的情况下，氮原子的孤对电子与NH4+-边心在横向形成N-H……N氢键。而邻层的氯甲烷与NH4+-边心垂直方向形成N-H……Cl氢键，从而通过形成一个NH4+-边心[PF6]3[N]2[Cl...

??本土培养青年学者,连发2篇Nature,这次是一作兼通讯!

原则上,rBN层的生长有两个先决条件:(1)打破层间B和N原子在每个界面上的能量优先耦合,实现每层中B-N键的单向;(2)沿着每层的扶手椅方向以B-N键长一半的恒定整数倍引导精确的晶格滑动,以确保纯rBN相的层间ABC堆叠(图1a)。该团队设想了一种采用斜边外延来引导每个rBN层的晶格方向和滑动矢量的方法(图1)。该...