上海华力微申请 ESD 结构及半导体器件专利,提高芯片面积利用率
该ESD结构,包括在衬底上间隔布置的第一NMOS管和第二NMOS管,第一NMOS管包括第一中压P阱,且第一中压P阱上从左至右依次布置有第一N阱和第一P阱引出区,第二NMOS管包括第二中压P阱,第二中压P阱上从左至右依次布置有第二P阱引出区和第三N阱,第一P阱引出区和第...
【专利解密】中科芯改良微控制器芯片GPIO电路结构
本发明提供了一种应用于微控制器的输入/输出阻抗可配置的GPIO口电路结构,包括一般GPIO口电路和I/O口节点,其中一般GPIO口电路的结构如图1所示,包括输出控制模块、斯密特触发器、PMOS管、NMOS管、上拉电阻、下拉电阻、开关Su、开关Sd、ESD上管和ESD下管。其中,ESD上管的正极和ESD下管的负极相连;开关Su的一端连接在...
...芯片及电子设备”专利,实现对电源域之间的信号传输的 ESD 防护
信号处理电路包括至少两个电源域,各电源域中设置有检测模块,任意两个电源域之间的信号传输路径设置有通断模块,通断模块与任意两个电源域中的至少一个电源域的检测模块相连接;各电源域中的检测模块用于对静电释放事件进行检测,并输出检测信号;各通断模块用于接收目标检测模块的检测信号,并在任一目标检测模块的检测信号...
《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》 全部更新完毕!
有15年以上海外知名半导体企业任职经验,2003年加入台积电任职IOESD电路工程师;2010年加入新加坡GlobalFoundries任职ESD技术经理;2013年至2021年加入荷兰NXP公司,任职IOESD首席架构设计师并于2019年获得NXP著名发明家奖项。现任苏州智聚芯联特聘高级顾问、杭州昕位科技特聘高级顾问、西安电子科大企业导师。2024年评定省...
模拟芯片专题报告:从台商脉络探产业发展系列报告
模拟芯片是集成电路的重要组成部分,当前工艺以成熟制程为主全球半导体市场规模构成:集成电路占比超过80%。从全球半导体分类来看,半导体可分为集成电路、分立器件、光学光电子和传感器四个部分。根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)数据,2023年全球半导体市场规模约为5,268.86亿美元,其中集成电路市场规模为4,...
5折优惠有效!《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》课程已更新
·简介团队在芯片级/系统级ESD防护的成功案例·团队的技术能力,服务项目及对标客户10.问题与解答课程摘要集成电路的发展有三个过程(www.e993.com)2024年9月19日。第一过程,做出来了可以用就行。第二过程,能够用而且要求好的性能,第三个过程,性能好而且可靠性要高。中国刚刚进入第三个过程,在与国外集成电路产品的市场竞争中,可靠性问题...
系统级ESD电路保护设计方法
图4显示了TVS二极管电流与电压特性的对比情况。尽管TVS是一种简单的结构,但是在系统级ESD保护设计过程中仍然需要注意几个重要的参数。这些参数包括击穿电压VBR、动态电阻RDYN、钳位电压VCL和电容。4.1、击穿电压VBR正确选择TVS的第一步是研究击穿电压(VBR)。
集成电路布图设计专有权公告(2024年6月21日)
布图设计权利人:长存创芯(上海)集成电路有限公司布图设计创作人:长存创芯(上海)集成电路有限公司布图设计创作完成日:2023年5月31日布图设计登记号:BS.235613754布图设计申请日:2023年12月28日公告日期:2024年6月21日公告号:75335布图设计名称:XH101(电容双向5VESD芯片)...
新书上架!德国高级工程师撰写《电子电路版图设计基础 》
3.1.2电路描述中的理想化653.1.3电路表示:网表和原理图663.2版图数据:层和多边形693.2.1版图数据的结构693.2.2如何阅读版图视图723.2.3图形操作743.3掩模数据:布局后处理783.3.1概述783.3.2芯片加工793.3.3掩模版图80
西安理工大学举办集成电路静电防护技术公益培训
静电放电(ESD)保护是芯片最重要的可靠性问题之一,ESD保护等级是芯片的重要指标。当前我国集成电路产业发展迅速,取得了产品功能和性能上的长足进步,正迈向高质量、高可靠的新阶段。但国产芯片可靠性距离国际先进水平还有显著差距,ESD保护性能差的芯片在轻微的ESD冲击下就会失效,此次活动旨在输出高校研究成果,助推陕西集成电...