中芯北方申请半导体封装结构及其形成方法专利,提高器件可靠性

专利摘要显示,本申请提供一种半导体封装结构及其形成方法,所述封装结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括核心区、保护区和切割道区,所述半导体衬底表面形成有层间介质层;第一钝化层,位于所述层间介质层表面,所述第一钝化层中包括若干暴露所述层间介质层的第一开口;分别位于所述核心区、保护区和切割道区的第一开...

【公布】中芯国际“半导体结构及其形成方法”专利公布;武汉新芯...

第二钝化层覆盖第一金属层,且第二钝化层具有第一开口,第一开口露出第一金属层的至少部分;在第二钝化层背离第一钝化层的一侧表面设置掩膜图案,掩膜图案露出第一开口;在掩膜图案背离第一钝化层的一侧形成第二金属层,第二金属层覆盖掩膜图案、第一金属层的部分和第二钝化层通过掩膜图案露出的部分;去除掩膜...

钝化—TOPCon电池的提效利器

TOPCon的钝化接触结构主要通过以下三种方式减少电池复合损失:1.通过沉积的SiO2薄膜实现隧穿效应:即在电池背面只允许电子通过,而空穴无法通过,从而减少电子空穴在传输过程中的复合损失;2.通过沉积的掺杂多晶硅层(Poly-Si)实现场钝化效应:即在电池表面形成电场,阻止背面的空穴靠近从而减少其与电子的复合。3.通过...

济南晶恒电子取得复合钝化膜结构的光阻GPP芯片相关专利

金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,济南晶恒电子有限责任公司取得一项名为“复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件”的专利,授权公告号CN113745173B,申请日期为2021年9月。本文源自:金融界作者:情报员

锂离子电池SEI膜形成机理及化成工艺影响!

比如包覆后形成的核壳结构对Si的膨胀起到一定的缓冲作用,使得SEI膜更加稳定,同时还抑制了Si颗粒的团聚。只有先解决了Si的体积膨胀问题,能够较好地发挥其容量特性,其后续作为电极材料的进一步研究才有意义。3.3优化化成工艺当Si作为负极材料容量得到较好的发挥时,Si基材料应用到实际生产中才会成为现实,从电池生产...

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,提高处理效率

本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构,制作方法包括:提供金属层;形成钝化层,钝化层覆盖金属层的顶表面;形成至少一个沟槽,沟槽至少贯穿钝化层;形成介质材料层,介质材料层填充沟槽并覆盖钝化层的顶表面;以钝化层的顶表面作为研磨停止终点研磨介质材料层,研磨保留的介质材料层在沟槽中形成介质层...

...使紧固件表面的镀锌钝化膜具有密度均匀的细微凹点结构,能发挥...

还公开了该新型润滑剂的使用方法:S1.在紧固件表面进行镀锌处理;S2.对紧固件的镀锌层进行轻喷砂,以在镀锌层表面形成密度均匀的细微凹点结构,洗净后放入钝化液中进行钝化处理,钝化液包括以下成分:30??40g/L的硝酸铬,23??30g/L的硝酸钠,1??4g/L的磺酸盐,3??7g/L的亚硝酸钠;S3.在紧固件的紧固...

隆基绿能申请钝化材料及其应用专利,能同时钝化多种缺陷并为缺陷...

专利摘要显示,本申请提供一种钝化材料及其应用。本申请的钝化材料具有非挥发特性,退火操作对其作用机制没有影响;能同时钝化多种缺陷,并为缺陷部分提供骨架支撑结构;调控钙钛矿薄膜结晶过程,使钙钛矿薄膜连续生长,形成高质量的钙钛矿薄膜。

华为公司申请半导体封装结构及其制法专利,该半导体封装结构包括...

该半导体封装结构包括:半导体芯片(10),具有含有导电区域(12)的第一面(11)和覆盖在所述第一面(11)上的钝化层(60);第一材料层(30),设置于所述钝化层(60)上;塑封料(40),至少包括形成在所述第一材料层(30)上的塑封层(41),所述第一材料层的材料的弹性模量小于所述塑封料的弹性模量;以及导电柱(20),所述...

电子产品的结构设计

固化,形成支撑物24h后,以60度烘烤半小时,出去挥发性副产物,实现气体排出,结构结实。4整机绝缘材料和布线1、绝缘材料选择绝缘材料时,主要考虑以下几方面的因素:①抗电强度,每毫米厚度的材料所能承受的电压。②机械强度,每平方厘米所能承受的拉力。③耐热等级,绝缘材料允许工作的最高工作温度。几种常见...