探索光耦:达林顿光耦与晶体管光耦的区别
其基本结构相对简单,主要利用光电效应和晶体管的放大特性来实现电信号的隔离与传输。▲晶体管光耦系列达林顿光耦则是在普通光耦的基础上增加了一个达林顿放大器,通常是一个PNP型晶体管或NPN型晶体管与光敏三极管组合而成。这种结构使得达林顿光耦在信号放大和控制方面具有更强的能力。▲达林顿光耦系列工作原理的异同...
基础知识之晶体管
这就是基极的微小电流(IB)。基极(P型半导体)在结构上很薄,从发射极流入基极的大部分电子会扩散到集电极。电子(负电荷)被集电极-发射极间电压(VCE)吸引并向集电极的电极方向移动。这就是集电极电流IC。<电流方向与电子移动方向相反>晶体管工作示意图(NPN型)NPN和PNP晶体管晶体管大致可以分为“NPN”...
基于人体皮肤热感知原理的超高灵敏度柔性温度传感器
由于其独特的工作机制,温度升高可使传感器的电学性质由非离子聚合物类型向离子导电聚合物类型转变,这种导电机制的变化使得传感器的电阻在较小温度范围内发生跨量级变化(图1c)。图1仿生温度传感器:(a)人体皮肤热感受器工作机理(b)APB聚电解质双层结构示意图(c)APB温度传感机制示意图该工作研究了影响非对称聚合物...
常见电子元器件等效电路的汇总整理
普通晶闸管等效电路下图所示是普通晶闸管结构示意图和等效电路。从等效电路中可以看出,普通晶闸管相当于两只三极管进行一定方式的连接后的电路。双向晶闸管等效电路下图所示是双向晶闸管结构示意图和等效电路。从等效电路中可以看出,双向晶闸管相当于两只普通晶闸管反向并联。四极晶闸管等效电路下图所示是四极晶闸管结构示...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
众所周知,IGBT是MOS管的输入和BJT的输出的组合,它具有与N沟道MOS管和达林顿配置的PNPBJT等效的结构,因此也可以加入漂移区的电阻。IGBT的特性--静态VI特性下图显示了n沟道IGBT的静态VI特性以及标有参数的电路图,该图与BJT的图相似,只是图中保持恒定的参数是VGE,因为IGBT是电压控制...
达林顿管的应用及达林顿模块电路典型结构
实际比较常用的是达林顿模块,它把GTR、续流二极管、辅助电路做到一个模块内(www.e993.com)2024年10月4日。在较早期的功率电子设备中,比较多地使用了这种器件。图1-2是这种器件的内部典型结构。图1-2:达林顿模块电路典型结构两个二极管左侧是加速二极管,右侧为续流二极管。加速二极管的原理是引进了电流串联正反馈,达到加速的目的。
干货|晶体管放大器结构原理图解
射极跟随器式输出级(达林顿结构)图1-8是最常见的3种射极跟随器式输出级,他们是双重射极跟随器结构,其中第一个跟随器是第2个跟随器(输出管)的驱动器。这里所以不称为答林顿结构,因为达林顿结构暗含着它可以是包括了驱动管、输出管以及各种射极电阻的集成块。
IGBT在电力电子行业能起到什么作用?
IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT,具有MOSFET输入阻抗高、栅极易驱动和双极型晶体管电流密度大、功率密度高的优势。从功能上来说,IGBT就是一个电路开关,优点就是用电压控制,饱和...
光电晶体管的结构和特性
通常光电晶体管的灵敏度是晶体管直流电流增益的函数。因此,总体灵敏度是集电极电流的函数,并且可以通过在基极和发射极之间连接电阻来控制,但对于非常高灵敏度的光耦合器类型应用,通常使用达林顿光电晶体管。光电达林顿晶体管使用第二个双极NPN晶体管来提供额外的放大,或者当由于低光水平或选择性灵敏度而需要更高灵敏...
干货|深度剖析IGBT的结构与工作原理
IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on)可用下式表示:Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh...