四川大能取得一种 MOS 管散热结构以及电机控制器专利,提高 MOS 管...

专利摘要显示,本实用新型涉及一种MOS管散热结构,包括金属底座、电路板、MOS散热片和MOS管,所述MOS管的数量为六个,且六个MOS管竖直焊接在电路板的正面,所述金属底座的内部设置有对MOS散热片进行连接散热的底座斜面。该MOS管散热结构以及电机控制器,将六个MOS管紧压在底座斜面,保证散热性能优...

华之杰取得一种MOS管散热结构专利,实现对开关控制板正反面双向...

专利摘要显示,本实用新型提供了一种MOS管散热结构,包括下盖板组,所述下盖板组内安装有基座,所述基座与下盖板组之间设置有开关控制板,所述开关控制板安装在下盖板组内,且所述开关控制板的一侧安装有若干组MOS管,位于同一侧的若干个MOS管附近设置有铜排静端子,所述铜排静端子的一侧设置有若干个马达端子,每个所述马...

...型MOS晶体管结构相结合的方式,提出一种新型的高压MOS管结构...

晶合集成申请高压MOS晶体管及其制备方法专利,通过沟槽栅和平面型MOS晶体管结构相结合的方式,提出一种新型的高压MOS管结构,进而起到缩小高压MOS管器...金融界2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“高压MOS晶体管及其制备方法“,公开号CN202410586257.3,申请日期为2024年...

...型MOS晶体管结构相结合的方式,提出一种新型的高压MOS管结构...

晶合集成申请高压MOS晶体管及其制备方法专利,通过沟槽栅和平面型MOS晶体管结构相结合的方式,提出一种新型的高压MOS管结构,进而起到缩小高压MOS管器件体积、提高芯片集成度的目的,同时还具有优异的高压性能和产品竞争力。金融界2024-06-1719:21发布于北京+关注金融界2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址:httpseepw/article/202404/458234.htm其结构示意图:解释1:沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,...

吃透MOS管,看这篇就够了

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型(www.e993.com)2024年11月13日。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图:解释1:沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mo...

涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺

氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构,再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比,总结结构不同决定的部分特性。此外,对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述,加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解...

新能源汽车OBC的拓扑结构设计及其典型应用

1.对于PFC,IGBT可用于大多数拓扑结构,且即使“高速”管采用了其他技术,也可用于图腾柱PFC的“低速”管。当考虑到原边DCDC转换的成本时,IGBT可用于功率等级较低的设计方案。2.与硅超级结MOSFET或碳化硅MOSFET相较之下,较慢的开关速度和较低的效率将必须在设计的可接受范围之内。IGBT也可用于...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

功率半导体包含功率半导体分立器件（其中有模块）和功率IC这些。在功率半导体分立器件里，按照器件结构来分的话，能分成二极管、晶闸管和晶体管之类的。中商产业研究院的数据显示，在功率半导体分立器件里，像MOSFET和IGBT这样的晶体管占的比例是最大的，大概有28.8%。从现在的市场需求来讲，硅基MOSFET、硅基IGBT还有...

亚1nm技术节点CMOS集成电路的发展之径:晶体管三维堆叠的结构与...

早期MOS晶体管微缩遵循经典的Dennard几何尺寸微缩原理,在90nm技术节点后受到晶体管漏电与功耗限制,通过引入高κ金属栅、SiGe嵌入式源漏的新型工艺材料实现了等效几何微缩。近十几年,为突破更小技术节点下的微缩挑战,晶体管结构创新成为了技术发展的主要路径。逐步从平面晶体管演进到鳍式场效应晶体管(FinFET),再到最新...