聊聊NAND Flash的原理、结构、工艺挑战、应用及未来发展
基本单元结构:NANDFlash的基本存储单元是一个浮栅晶体管(FloatingGateTransistor)。每个晶体管对应一个存储单元,存储的信息是通过控制浮栅上的电荷实现的。多个存储单元通过串联方式形成一个NAND存储单元(通常为8到32个单元串联),以提高密度和降低成本。图:存储cell的器件结构2.NANDFlash的工作原理写入过程(编...
市政府关于表彰常州市第十三次自然科学优秀科技论文的决定
47、用于高速高密度相变存储器的Sb50Se50/Ga30Sb70类超晶格薄膜胡益丰、冯晓依、李思勉(江苏理工学院)48、Fabricationoflarge-area3-Dorderedsilver-coatedcolloidalcrystalsandmacroporoussilverfilmsusingpolystyrenetemplates朱雯(江苏理工学院)49、EquivalencebetweentheEquilibriumDispersivean...
清华团队发布3D DRAM存算一体架构!
如图所示,当前的主流计算系统所使用的数据处理方案,依赖于数据存储与数据处理分离的体系结构(冯诺依曼架构),为了满足速度和容量的需求,现代计算系统通常采取高速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NANDFlash)的三级存储结构。常见的存储系统架构及存储墙(全球半导体观察制图)每当应用开始工作时,就需要不断地在内...
清溢光电: 中信证券股份有限公司关于深圳清溢光电股份有限公司向...
??????????截至??2024??年??3??月??31??日,公司股本结构如下:????????????股份类型????????????????????????????????????股份数量(股)????????????????????????????????????????占总股本比例(%)??一、无限售...
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
更具体地说,模块的典型结构是一个三明治结构,包括焊接在中间散热片(通常为铜)上的芯片,以增加用于传递热量的面积(并为芯片之间提供共同的电气连接),然后是一层氧化铝或氮化铝片,提供电气隔离,最后是一个单一的散热片,它也作为安装底板。基本上,中间的散热片比使用多个TO-247组件的解决方案降低了从结点到散热器的...
2024年值得关注的7个产业趋势和8个政策主题
HBM通过将多个DDR芯片堆叠起来,并与GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列,具有高带宽、低延迟、节省空间、高容量的优点,在AI训练等领域具有广泛的应用前景(www.e993.com)2024年10月3日。目前,先进的AI训练GPU芯片均已搭载HBM存储芯片,例如,英伟达的A100、H100基板均搭载了8个GPU,每个GPU搭载6个HBM2e;AMD的MI300X将采用三星的HBM3...
“大芯片”的挑战、模式和架构
αintra-chip由应用、芯片内存容量和互连结构决定。应用和片上存储器会影响每个芯片上的数据位置。互联结构的影响可以从更广阔的角度来阐述。考虑到在两个节点之间传输固定数量的数据,它们之间的路由越多,分配到每条路由上的数据就越少,从而导致每条总线传输的数据量减少,最大值也是如此。与网状设计相比,Cmesh是一种...
DRAM的范式转变历程
外围电路、输入/输出焊盘和行解码器位于硅芯片中心的左侧和右侧,列解码器位于中心的上方和下方,存储单元阵列(「子阵列」)位于硅芯片的硅芯片中心的上方和下方。剩余的顶部、底部、左侧和右侧(方形部分)。)被布置。该图的右下角表示存储单元阵列(子阵列)的基本结构。将一个存储单元放置在红色字线(WL)和黄色位...
“超越摩尔定律”,存内计算走在爆发的边缘
物理MAC可以很容易地在内存阵列中并行化,以进行向量和矩阵运算,这反过来又为ANN奠定了基础。b)CIM架构,包括内存阵列瓦片组、输入/输出(I/O)缓冲器和控制器。c)包括VM和NVM在内的存储器技术,所有这些技术都可以在交叉点架构中实现CIMMAC是计算机运算的基本操作,它与基础布尔逻辑门的关系如图所示。在冯-诺依曼...
恒烁股份2023年年度董事会经营评述
未来随着公司在研的基于NORFash的模拟存算一体终端推理AI芯片和基于SRAM的数字存算一体AI芯片的顺利推进,公司将深化核心业务发展,巩固“存储+控制+AI”一体化战略结构。(1)NORFash公司在NORFash存储芯片领域取得了多项核心技术,并达到国内外主流水平,部分产品的技术指标达到了行业先进水平,具备与行业龙头厂商相竞争的...