零基础小白如何踏上嵌入式学习征途

嵌入式系统的硬件组成部分主要包括处理器、存储器、输入输出设备等。处理器是嵌入式系统的核心,负责执行程序指令和控制整个系统的运行。存储器用于存储程序代码和数据,包括ROM(只读存储器)和RAM(随机存取存储器)。输入输出设备用于与外部世界进行交互,包括传感器、执行器、显示器、键盘等,这些硬件组成部分之间通过总线...

探索AI 时代的核心:嵌入式 SRAM 的重要性与制程分析

嵌入式应用的SRAM两项重要特点:首先,SRAM常常是Al芯片中构成读写的最快的内存寄存器(Register)及快取存储器(Cache,又称高速缓冲内存)的主要内存。其次,SRAM的制程结构通常也是AI芯片制程中最小尺寸及最密集区域。因为尺寸小,同样面积内芯片可以容纳的内存数量就更多,相对成本降低。所以SRAM在AI芯片的地位就不言而...

一文读懂 嵌入式系统外设器件的类型及其选择

在嵌入式系统中,常见的RAM类型包括SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)。EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)则是一种可擦除并且不易失去数据的存储器,这意味着如果系统重置或断电也不会被擦除,通常用于存储配置信息、校正数据和其他需要保留的非易失性数据。另外,有些系统还可外接存储...

Imec发布未来二十年的五大半导体趋势

未来几年,NAND存储将继续逐步扩展,而不会造成架构上的颠覆性变化,当今最先进的NAND产品具有128层存储功能。3D缩放将继续进行可能通过晶圆间键合实现的其他层,Imec通过开发低电阻金属(如钌),研究备用存储器电介质堆栈,改善沟道电流以及确定控制由于堆叠层数量增加而产生的应力的方法,为这一路线图做出了贡献。我们还致...

台积电取得存储器结构专利,可实现嵌入式铁电存储器单元

存储器结构具有设置在衬底内的源极区和漏极区。选择栅极设置在源极区和漏极区之间的衬底上方。铁电随机存取存储器(FeRAM)器件设置在选择栅极和源极区之间的衬底上方。FeRAM器件包括布置在衬底和导电电极之间的铁电材料。本发明的实施例还涉及存储器结构、集成芯片和形成存储器结构的方法。本发明的实施例还涉及嵌入式...

中国存储品牌崛起:FORESEE嵌入式存储、车规级存储器齐头并

FORESEE作为江波龙旗下的行业类存储品牌,专注于嵌入式存储解决方案的研发与生产(www.e993.com)2024年11月24日。其产品线覆盖了eMMC、UFS等多种存储类型,广泛应用于智能手机、平板电脑、汽车电子、工业控制等多个领域。以eMMC为例,FORESEE的eMMC产品凭借出色的读写性能、低功耗以及高可靠性,赢得了众多客户的青睐。而UFS产品更是以其超高速的数据传输...

华虹公司:公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件等领域的多项核心...

在嵌入式非易失性存储器领域,公司涵盖0.35μm-55nm制程范围的嵌入式存储器技术平台,晶体管超低漏电(UltraLowLeakage)水平处于业界领先水平,闪存单元面积较业界主流显著减小,工艺光刻层次比业界代工企业的主流代工技术显著减少,有效降低成本及缩短工艺周期。感谢您的关注与支持!

万润科技:公司主要从事LED、半导体存储器新一代信息技术业务...

万润科技董秘:尊敬的投资者,您好!公司主要从事LED、半导体存储器新一代信息技术业务、综合能源服务业务和广告传媒业务。感谢您对公司的关注!投资者:存储半导体业务目前出货主要在工业级企业级以及嵌入式这些高端领域,且嵌入式可用于智能穿戴,车规级存储已送样。但从展会看研发成功产品全覆盖了存储领域nand,dram产品(SS...

存储器最新发展路线图

数字存储需求不断增长，这需要更先进的存储技术来支持强大的数字海量存储层次结构。IEEEIRDS海量存储路线图概述了NAND闪存、新兴非易失性存储器、HDD、磁带、光学记录和DNA存储发展的预测。数字经济时代，信息技术已经渗透到生活的方方面面，数据存储系统作为信息化系统的基础设施，构建一套稳定、高效、满足未来...

HBM(高带宽存储器)简介

混合键合的定义:混合键合是一种永久键合,将介电键合(siox)与嵌入式金属(Cu)结合起来互联,形成电介质和金属-金属键。使用紧密嵌入电介质中的微小铜焊盘可以提供比铜微凸块多1000倍的I/O连接。支持3D封装和先进的存储立方体更高的互连密度。混合键合可以实现低于10um的键合间距,当接近10u尺寸时带有焊锡尖端的铜凸块...