国芯思辰|国产铁电存储器SF25C20( MB85RS2MT)用于输液泵和呼吸机

目前，传统的EEPROM和闪存写入周期耐久度有限，而一些医疗设备需要可靠地存储随时更新的数据日志，例如医疗输液泵和呼吸机。国产铁电存储器SF25C20的存储单元可用于100万次读写，数据保持：10年@85℃（200年@25℃），这样的耐久度使这些医疗设备记录更多的用户数据。此外，即时非易失性也是SF25C20技术的另一大重要特...

台积电申请存储器单元及其制造方法专利,实现优化存储器单元结构与...

金融界2024年7月23日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“存储器单元及其制造方法”,公开号CN202410349922.7,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,一种存储器单元,包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通...

牛芯半导体DDR技术的发展与创新

然而,随着技术的飞速发展,现代DDR5存储器件的单芯片容量已经实现了惊人的64Gbit存储容量,而其输入/输出速率更是达到了8800Mbps的高峰,这一飞跃不仅展示了存储技术的巨大进步,也满足了当代高速数据处理的需求。图2:SRAM与DDR5SDRAM颗粒内部结构对比以上仅仅描述了存储器芯片的一个颗粒(Chip)的结构。在颗粒基础上,形...

...第二节点的电压来确定存储器单元与第一开关之间的键合是否有缺陷

所述半导体装置可包括:存储器装置,包括存储器单元、页缓冲器和第一开关,第一开关具有电连接到位于存储器单元的键合点的第一节点的第一端、以及连接到位于页缓冲器的第二节点的第二端;以及存储器控制器,被配置为在第一时段将预充电电压施加到第一节点和第二节点,在第一时段之后的第二时段中闭合第一开关,并且被...

...存储器的修复方法及电子设备专利,增加存储器中对存储单元行的...

存储阵列包括多个存储区域,每一存储区域中均包括多行存储单元行。存储控制电路包括与多个存储区域一一对应的多个字线驱动电路,解码器和驱动控制电路。每一字线驱动电路中均包括多个驱动子电路,每一驱动子电路连接对应的存储区域中的一行存储单元行,用于向存储单元行发送驱动信号;驱动控制电路与每一字线驱动电路中至少部分...

三星申请存储器专利,实现高效的存储单元控制

所述存储器芯片包括:多个存储块,各自包括多个存储单元;以及逻辑电路,被配置为控制所述多个存储块,其中,所述逻辑电路包括:输入/输出焊盘,被配置为向所述多个存储块输入数据和从所述多个存储块输出数据;并且其中,所述逻辑电路进一步被配置为:分配彼此具有位反转关系的块地址码;响应于外部控制来输出模式选择信号,...

台积电低功耗芯片路线图|栅极|阵列|元件|晶体管_网易订阅

存储器层次结构中每一级的新兴存储器件都必须在关键指标上优于现有技术,才能被视为有前途的替代品。这些关键指标包括密度、能效、速度、耐用性、保持性、环境鲁棒性、可控性以及作为成本/位代理的复杂性。自旋-轨道力矩MRAM(SOT-MRAM)具有足够快的写入速度和固有的耐用性,使其成为标准6T-SRAM存储单元的潜在替代...

上海市科学技术委员会

研究内容:研究铁电畴壁的导电机理和电畴调控机制,实现逻辑信息的快速写入和读出.探明铁电界面层效应形成机理,提出调节选通管电学特性的理论模型和实验方法.研究基于自对准工艺的小尺寸器件制备方法,提升存储单元的一致性和工艺的稳定性,获得大规模且高良率的交叉棒存储阵列,并进行可靠性测试研究.根据器件电学...

固态硬盘是什么

固态硬盘(SolidStateDrive、IDEFLASHDISK)是由控制单元和存储单元(FLASH芯片)组成,简单的说就是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的相同,在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致。其芯片的工作温度范围很宽(-40~85℃)。目前广泛应用于军事、车载、工控、视...

汽车存储产业研究:Transformer时代,存储成本将飞速增长

1.1.3不同存储器在计算单元中使用位置1.1.4类型1:易失性存储(RAM)1.1.5类型2:非易性存储器(ROM)1.1.6类型2:非易性存储器(ROM):FLASHMemory分类1.2存储芯片行业发展现状1.2.12024年全球半导体行业发展,存储芯片是主要驱动力1.2.2WSTS预计2024年全球半导体销售额将增长13.1%...