铠侠或将在2027年推出1000层3D NAND

据报道,日本存储厂商铠侠(Kioxia)预计将在2027年之前做好准备,推出1000层3DNAND。据报道,该公司在最近的一次存储产业公开活动上公开相关计划。这将使单一NANDFlash颗粒的储存容量扩大三倍以上。报道强调,为了达到1000层堆叠的水准,铠侠预计可能改用密度更大的QLCNANDFlash。在当今的相关产品中,最常用的NAND...

闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

NAND闪存颗粒,是闪存家族的一员,最早由日立公司于1989年研制并推向市场,由于NAND闪存颗粒有着功耗更低、价格更低和性能更佳等诸多优点,成为了存储行业最为重要的存储原料。根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)以及TLC(三层存储单元),此三种存储单元在寿命以及造价上...

...西部数据闪存先进技术副总裁李艳博士将分享《3D QLC NAND...

作为本届峰会的重磅嘉宾,西部数据闪存先进技术副总裁李艳博士将在峰会发表《3DQLCNANDFlash拓展及其应用》的主题演讲。随着AI/ML应用从云扩展到边缘,PC和移动应用需要更高容量的闪存,QLCNANDFlash可以通过增强性能和可靠性来满足应用。李艳博士将分享3DNAND闪存架构的变化:3DNAND闪存通过增加更多层数来继续进行...

西数将剥离SSD及NAND闪存业务:估值可达220亿美元

为了确保分拆后的顺利过渡与长期发展，西部数据已明确领导架构：由首席执行官DavidGoeckeler亲自挂帅，引领SSD及NAND闪存业务部门的新征程；而全球运营执行副总裁IrvingTan则被任命为HDD业务部门的掌舵人，将负责继续巩固和拓展公司在传统硬盘市场的领先地位。值得注意的是，尽管市场对西部数据SSD及NAND闪存业务的独立价值...

西数大动作!SSD及NAND闪存业务或独立,估值220亿?

市场传闻称,西部数据剥离出的SSD及NAND闪存业务部分的独立估值有望达到220亿美元,与业内知名公司Solidigm的估值相当。这一潜在的广阔估值空间已足够吸引市场的关注。为了确保分拆后的顺利过渡与长期发展,西部数据已明确了新的领导架构。首席执行官DavidGoeckeler将亲自领导SSD及NAND闪存业务部门,而全球运营执行副总裁Irvi...

NAND闪存,迎新局

今年4月23日，三星宣布已开始量产其1Tb三级单元(TLC)第9代垂直NAND(V-NAND)(www.e993.com)2024年11月22日。其位密度比第八代V-NAND提高了约50%，并配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到每秒3.2千兆位(Gbps)。借助这一新接口，三星计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能SSD...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。

三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产

"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoiHur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破极限。通过我们最新的V-NAND，三星将在高性能、高密度SSD市场中持续创新，满足未来人工智能时代的...

三星宣布投产第九代V-NAND闪存:存储密度较上代提升了50%

三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们非常高兴推出业界首款第九代V-NAND产品,它将为未来应用带来显著飞跃。为了满足不断演进的NAND闪存解决方案需求,我们在下一代产品的单元架构和操作方案上进行了突破。通过最新的V-NAND,三星将持续引领高性能、高密度固态硬盘市场潮流,以满足即将到来的人工...

替代部分美系设备成功!长江存储成功用国产设备制造 3D NAND 芯片

长江存储自研Xtacking架构可让3DNAND的层数堆叠到232层,即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比,也具有极强的竞争优势。据悉,长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备,以及拓荆科技的沉积设备,成功制造出3DNAND闪存芯片。