无锡舜铭存储科技取得3D闪存存储器及其控制器结构专利

金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,无锡舜铭存储科技有限公司取得一项名为“3D闪存存储器及其控制器结构”的专利,授权公告号CN113380807B,申请日期为2021年6月。本文源自:金融界作者:情报员

华虹半导体“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布

在本发明中,其在不增大闪存存储器版图的端头区的面积的基础上,通过在每一所述端头区内的第二浮栅图形的下方添加两个第二有源区图形的方式,增大端头区中有源区的图形密度,优化有源阵列区最边缘有源区的制作工艺环境,进而避免由于端头区中的有源区密度小于有源阵列区中的有源区密度造成的端头区中的最边缘的...

存储产业发展方兴未艾!

据官网显示,泽石科技成立于2017年,是中科院微电子所下属的高科技存储公司,属于国家存储大战略的产业化布局中重要的组成部分,主要从事基于闪存芯片的固态存储技术,产品广泛应用于各著名PC厂商、金融等工控领域以及数据中心。目前,泽石科技已成功量产了28纳米PCIeGen3控制芯片,推出了全自主研发全国产的宽温SSD方案,下一...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

根据业界消息来源,IGZO是一种由铟、镓、氧化锌组成的金属氧化物材料。其最大的优势在于待机功耗低,非常适合需要长寿命的DRAM晶体管。这一特性可以通过调整In(铟)、Ga(镓)和ZnO(氧化锌)的成分比例来很容易实现。---Source:TrendForce;IntensifyingBattleofTechnologyAmongStorageGiants;April16,2024...

长电科技:晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品...

公司回答表示,尊敬的投资者,您好。晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。感谢您对公司的关注和支持。

朗科科技:暂无供应华为全闪存服务存储器的合作

朗科科技:暂无供应华为全闪存服务存储器的合作金融界3月18日消息,有投资者在互动平台向朗科科技提问:公司主导产品涵盖固态硬盘、内存条、TF卡、闪存盘、移动硬盘,广泛应用于企业级数据中心、智能终端、个人电脑、工业计算机以及信息安全领域(www.e993.com)2024年11月22日。为行业头部企业提供的全闪存服务存储器便由韶关朗科出品,请问是否供应华为的全...

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其...

闪存包括多个存储器单元,多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层,并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例,还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。

潜力股:闪存芯片,半导体存储器领域领导企业

公司亮点：闪存芯片，半导体存储器领域领导企业。题材要点：要点一:传感器兆易创新科技集团股份有限公司在传感器业务方面，专注于新一代智能终端生物传感技术的自主研发与创新。公司致力于人机交互传感器芯片及解决方案的研制与开发，目前提供的产品包括嵌入式传感芯片、电容和光学模式指纹识别芯片，以及自容和互容触摸屏控制...

下半年,存储器价格将面临压力

目前,国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和NANDFlash(闪存存储器)两大类产品。业内人士表示,存储产品价格的持续上涨主要受两重因素推动,一是数据中心对服务器DRAM的高需求,以及AI手机、AIPC等创新AI终端设备内存配置提升的需求;二是HBM(高带宽存储器)供不应求,推动DRAM买方转为积...

存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...

据悉，标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试，产品类型主要包括iNAND闪存模块，SD、MicroSD存储器等，产品广泛应用于移动通信、工业与物联网、汽车、智能家居及消费终端等领域。值得关注的是，出售方母公司WesternDigitalCorporation（“西部数据”）是全球领先的存储器厂商。根据机构TrendForce的调查报告，...