中国振华集团永光电子有限公司取得双N沟道场效应晶体管阵列试验...

保护模块、产品功率可调模块、警报模块、显示模块、工作电流检测模块,所述供电模块分别与保护模块、产品功率可调模块、警报模块连接,保护模块、产品功率可调模块、警报模块分别与场效应晶体管阵列芯片U1连接,场效应管阵列输出端分别与显示模块和工作电流检测模块连接。

科技| 麻省理工团队成功研制出全新纳米级 3D 晶体管:量子效应加持...

为了克服这一限制,美国麻省理工学院团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。值得一提的是,这项研究部分由英特尔公司资助。他们也使用了垂直纳米线场效应晶体管(VNFET)技术,通过垂直定向结构而非传统的水平布局来管理电子流,从而避开了与水平晶体管相关的一些限制。...

垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)又有新消息

CFET(垂直堆叠互补场效应晶体管)是一种CMOS工艺,其中晶体管垂直堆叠,而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面,比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管(NSFET,也称为环栅或GAA)。CFET将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。本文引用地址:CFET的概念最初由IMEC研究机构提出,被认为是继环栅多通道...

...胡平安教授ACS Nano:柔性可穿戴式场效应管传感器用于汗液中...

该NM-FET检测系统主要由两部分组成:具有逐步润湿性表面的纳米阵列和经Nafion/适配体修饰的场效应管。纳米阵列由直径为1μm的聚苯乙烯微球组成。经全氟葵基三氯硅烷(FDTS)处理和氧离子刻蚀后,纳米阵列表面形成亲/疏水区域。纳米阵列表面不同区域的润湿性变化能够让汗液在测试地点实现自动收集和运输。此外,二硫化钼场效...

还分不清结型场效应管与绝缘栅?看这一文就够了,图表展现

JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写,由栅极、源极和漏极3个端子组成。在JFET中,电场施加在控制电流流动的栅极端子上。从漏极流向源极端子的电流与施加的栅极电压成正比。JFET基本上有两种类型,基本上是N沟道和P沟道。施加在栅极到源极端子的电压允许电子从源极移动到漏极。因此,从漏极流向源极的电流...

中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管

近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展,分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术,首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(www.e993.com)2024年11月16日。相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shapedgatetrenchverticalMOSFETrealizedbyoxygenannealing”和“...

台积电取得存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法专利,达到多位...

在铁电层的第一端的第一组偶极子具有第一极化。在铁电层的第二端的第二组偶极子具有第二极化,第二极化与第一极化基本上相反。本发明的实施例还涉及存储器件及读取铁电场效应晶体管的方法。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市有风险,投资需谨慎!

...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...

图5.在650nm光照下二硫化钼场效应晶体管的光电响应。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials图6.二硫化钼场效应晶体管负光电导效应原理示意图。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials该成果以“基于外延铁电栅的具有负光电导和高响应度的双极性MoS2场效应晶体管”(AmbipolarMoS2FieldEffectTransistorswithNegative...

...控股的功率半导体设计公司广微集成目前主要产品包括MOS场效应...

公司控股的功率半导体设计公司广微集成目前主要产品包括MOS场效应二极管(MFER)和分离栅低压场效应晶体管(SGT-MOSFET),MFER主要应用在光伏接线盒、储能BMS、电源适配器、工业PFC等场景,SGT-MOSFET主要应用于储能BMS电源输出和电路保护系统,未来也可拓展至新能源汽车电子领域。感谢您的关注!

三星申请全环栅场效应晶体管及其制造方法专利,能够促进衬底的热量...

金融界2024年4月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“具有沟槽内部间隔物的全环栅场效应晶体管及其制造方法“,公开号CN117836953A,申请日期为2022年5月。专利摘