晶合集成28nm逻辑芯片验证成功 :中国半导体行业再下一城!

进入2024年以来,晶合集成不断取得重大突破,8月份,晶合集成打破行业垄断,实现国产1.8亿像素相机全画幅CMOS图像传感器的成功试产,这颗CIS芯片基于晶合集成自研的55nm制程工艺开发,与思特威强强联合,欲打入高端单反相机市场,10月份,晶合集成28nm逻辑芯片又通过功能性验证,28nmOLED驱动芯片预计2025年上半年实现量产。值得一...

...半导体宣布联手三星推出 18nm FD-SOI 工艺,集成嵌入式相变存储器

IT之家3月21日消息,意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出集成嵌入式相变存储器(ePCM)的18nmFD-SOI工艺。IT之家注:FD-SOI即全耗尽型绝缘体上硅,是一种平面半导体工艺技术,可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。意法半导体表示,相较于其现在使用的40nmeNVM技术,采用ePCM的1...

Nat. Electron.:单层MoS2存储器大规模集成矢量矩阵乘法处理器

有鉴于此，近日，瑞士洛桑联邦理工学院AndrasKis教授团队报道了一种集成式32×32矢量矩阵乘法器，该乘法器采用单层MoS2作为沟道材料，具有1024个浮栅场效应晶体管。在本文的晶圆级制造工艺中，实现了高良率和低器件间变化，这是实际应用的先决条件。统计分析强调了用单个编程脉冲进行多电平和模拟存储的潜力，允许该加速...

全球首款28nm内嵌阻变存储器画质调节芯片在京量产

近日,由北京经开区(北京亦庄)企业北京显芯科技有限公司(以下简称“显芯科技”)参与研制的全球首款28nm内嵌RRAM(阻变存储器)画质调节芯片在京量产,并成功应用于国内头部客户的MiniLED(次毫米发光二极管)高端系列电视中,标志着我国显示类芯片达到新的半导体工艺高度。“当前,全球半导体顶尖工艺已经来到2nm时代,但对于...

【光电集成】晶圆键合工艺及键合设备市场情况

随着摩尔定律逼近材料与器件的物理极限,源于微机电系统(MicroElectroMechanicalSystems,MEMS)制造技术的晶圆级封装键合技术逐渐进入集成电路制造领域,成为实现存储器、逻辑器件、射频器件等部件的三维堆叠同质/异质集成,进而提升器件性能和功能,降低系统功耗、尺寸与制造成本的重要技术途径,对满足集成电路高集密度、高功能...

喜讯!我国两所高校获存储器技术新突破

又讯，8月13日，记者从北京大学集成电路学院官微平台获悉，北京大学黄如-杨玉超课题组在忆阻器存算一体通用伊辛机芯片研究中取得新突破(www.e993.com)2024年11月29日。据了解，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心黄如院士-杨玉超教授课题组与北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司合作，基于自主研发的先进忆阻器集成工艺，设计研制了高能效...

SK海力士将在FMS 2024峰会展示下一代AI存储器技术

为了展示对多元化的承诺,SK海力士还决定赞助FMS超级女性大会,并在活动期间鼓励存储行业的杰出女性领导者。NAND先进工艺集成负责人、公司首位女性高管级研究员HaesoonOh将就多元化在SK海力士未来技术创新中的作用发表演讲。SK海力士总裁兼AI基础设施负责人JustinKim表示:“随着AI时代的全面开启,存储器解决方案(即多种产品...

极端制造 | 嵌入式阻变存储器在工业制造中的研究进展及其潜在应用

嵌入式电阻随机存取存储器;工业制造;智能计算;先进工艺节点亮点讨论了基于CMOS兼容材料的嵌入式RRAM的研制、关键参数和集成技术。总结了传统存储器件的工作原理、结构以及与其他新兴存储器件的比较,强调了RRAM在嵌入式系统中的优势;概述了嵌入式RRAM与现有技术兼容的可行性,并深入论证了嵌入式RRAM进一步推动芯片工艺节点...

基于二维材料的阻变存储器

通过将二维材料RRAM集成到可穿戴设备中,可以实现长期、连续的数据监测和存储,为健康监测、智能穿戴等领域提供强大的支持。同时,在物联网领域,二维材料RRAM可以实现高密度的数据存储和处理,为物联网设备提供可靠、高效的存储解决方案。图3.基于单层二维材料的阻变存储器器件的主要挑战。

全球首款!28nm显示芯片在京量产,我国显示类芯片半导体工艺达新高度

近日我国半导体显示芯片取得重大进展:由北京经济技术开发区(北京亦庄)企业北京显芯科技有限公司(以下简称“显芯科技”)参与研制的全球首款28nm内嵌RRAM(阻变存储器)画质调节芯片在京量产,并成功应用于国内头部客户的MiniLED(次毫米发光二极管)高端系列电视中,标志着我国显示类芯片达到新的半导体工艺高度。