华为最看好的公司,订单大增400%,A股的护城河!
碳化硅器件的生产流程与芯片类似,也需要经过衬底制备、外延生长、晶圆制造以及封装测试环节。不同之处在于制作SiC衬底和外延片的时间长且良率低。衬底我们可以简单看作是碳化硅粉末合成的圆片,外延则是在这个原片上再形成一层薄膜。但从粉末到衬底的转化率只有50%,从而使得SiC器件的成本是Si器件的3倍。其中,衬底...
合盛硅业产业链协同效益显现:市占率持续提升,碳化硅需求前景广阔
合盛硅业从2019年开展碳化硅研发,截至目前,公司已经完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶体生长、衬底加工及晶片外延等全产业链核心技术,突破了关键材料和装备的技术壁垒。报告期内,公司6英寸碳化硅衬底全面量产,晶体良率达到90%以上,外延良率稳定在95%以上,居于国内领先位置。同时,8英寸衬底已经开始小批量生产。分...
1升5元,这种高端材料实现闪速低成本合成
李江涛介绍,在实验室条件下,采用研究团队研发的新工艺,每分钟可以制备出16升碳化硅气凝胶,比现有气凝胶合成技术的生产速度提升了10倍。与此同时,该工艺的制造成本降低了两个数量级,制备1升碳化硅气凝胶成本仅需5元。此外,该工艺的合成过程还具有近零能耗的突出特征,非常适合大尺寸碳化硅气凝胶的低碳、低成本制备。...
【复材资讯】清华大学材料学院董岩皓课题组合作提出碳化硅气凝胶...
基于上述背景,清华大学材料学院董岩皓助理教授与中国科学院理化技术研究所李江涛研究员提出了一种全新的碳化硅气凝胶自蔓延制备方法,利用原料硅粉与聚四氟乙烯反应剂之间快速的自蔓延燃烧合成反应,实现了升量级碳化硅气凝胶的闪速合成。该研究在实验室条件下展示了在数秒内制备大尺寸碳化硅气凝胶的可行性,生产速率约为16升...
碳化硅争夺战:光伏龙头们已入局!
2023年上半年,连城数控取得了多项技术研发成果,如创新推出单晶炉设备“一键拉晶”系统、液相法碳化硅长晶炉顺利下线并取得客户数台订单、碳化硅立式感应合成炉科研成果通过专家团鉴定等。2024年,连城数控拟投资不超10.5亿元,在无锡市建设化合物半导体设备研发制造项目。
高维氏硬度“碳化硅烧结陶瓷”的制备工艺流程
碳化硅烧结陶瓷的制备工艺流程主要包括粉末制备、成型、烧结及后处理四个基本阶段(www.e993.com)2024年9月9日。每一阶段的操作条件和工艺参数都对最终产品的性能有着直接影响。粉末制备是碳化硅烧结陶瓷生产的第一步,关键在于获得高纯度、粒度分布合理的碳化硅粉末。通常采用的方法有机械粉碎和化学合成两种。机械粉碎虽然成本较低,但难以获得极细的粉...
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟对《碳化硅单晶生长用等...
本文件适用于单个杂质元素含量范围为0.01mg/kg~5mg/kg的碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度的测定,所述构件包括碳化硅单晶生长炉中的加热器、坩埚、籽晶托等内部构件。碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件,以及碳化硅外延生长用石墨基材的纯度测定可参考本文件。??T/CASAS048—202X《碳化硅单晶生长用等...
碳化硅半导体--电动汽车和光伏逆变器的下一项关键技术
因此,碳化硅需要在石墨电炉中以1600°C至2500°C的温度将硅砂和碳合成。这一过程会生成碳化硅晶体块,然后需要进一步加工,最终形成碳化硅半导体。每个生产步骤都需要极其严格的质量控制,以确保最终产品符合严格的测试标准。为了保证质量,安森美采用了一种独特的方法。作为业内唯一一家端到端碳化硅制造商,他们掌握着...
铂科新材申请碳化硅连续长晶相关专利,可节省占地面积及加工成本
在第一方向上,热处理室、长晶室和合成室依次设置,可实现单一设备即可完成碳化硅晶体生长的三道工序,节省占地面积以及加工成本。合成室能与长晶室连通;长晶室能与热处理室连通,坩埚能通过旋转升降机构进入每一道工序的腔室内,使得每一道工序形成的半成品能连续地进入下一道工序,简化了加工过程,节省人力,提高生产效率...
年产800吨!合盛硅业碳化硅颗粒项目点火成功
据合盛硅业官方公众号消息,7月15日,内蒙古赛盛新材料有限公司(以下简称“赛盛新材料”)年产800吨碳化硅颗粒项目点火成功,标志着项目由建设期的“工地”实现了向“工厂”的里程碑式转变。source:合盛硅业作为一家工业硅及有机硅等硅基新材料产品研发、生产及销售企业,合盛硅业表示,公司从2019年开始开展碳化硅...