吃透MOS管,看这篇就够了

2、MOS管的工作原理:图1-3是N沟道MOS管工作原理图;图1-3-A图1-3-B从图1-3-A可以看出,增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源...

MOS管及其外围电路设计

图4给出的改进电路1是在驱动电阻上反并联了一个二极管,当mos关断时,关断电流就会流经二极管Doff,这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降,一般为0.7V,远小于mos的门槛电压(一般为2.5V以上),有效地避免了mos的误开通。图5改进电路2图5给出的改进电路2是在驱动电路上加入了一个开通二极管Don和关断三级管Qoff。

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

在看一些元器件的DATASHEET文件时,经常会碰到元器件的参数,IOL,IOH,IIL,IIH,我也知道他们指的是输入输出高低电平时的最大最小电流,但在连接时他们之间的匹配问题一直很模糊,如:IOL=1.5MA;IOH=-300UAIIL=-100UA;IIH=10UA;参考答案:IOL和IOH表示输出为低、高电平时的电流值,同样-号表示从器件流出的...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

图:MOS管结构对于功率MOSFET来说,导通电阻与栅极电荷互为权衡(trade-off)关系,因为对于同一个器件结构来说,可以通过并联更多重复单元来降低导通电阻,但会导致栅极电荷相应地增加;反之减少器件并联的重复单元数,可以使得器件的栅极电荷变小,但其导通电阻会增大。因此,器件的导通电阻与栅极电荷的乘积优值(即品质因数,...

干货| MOS管防护电路解析

当电流过大或者发生短路时,功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值,必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏,因此在主回路增加电流采样保护电路,当电流到达一定值,通过保护电路关闭驱动电路来保护MOS管(www.e993.com)2024年11月27日。4)电流采样保护电路...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

当中压处于100V-250V的时候，常常会把多个MOSFET单管并联起来，用在A00级的小型电动汽车或者中混车辆（这些车的动力电池电压大概在200V左右）的主驱逆变器、OBC、DC/DC、空调压缩机等零部件里，起到逆变、整流之类的作用。高压SJMOSFET，这也是车规级的，它的工作电压通常在650V-900V，主要是用在现在...

还分不清结型场效应管与绝缘栅?看这一文就够了,图表展现

增强型MOSFET在D-MOS中,负施加的栅极电位增加了沟道电阻,从而降低了漏极电流。相反,在E-MOS中,其工作需要大的正栅极电压。结型场效应管与绝缘栅的区别?结型场效应管与绝缘栅的区别JFET称为结型场效应晶体管,MOSFET称为金属氧化物半导体场效应晶体管。

常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻

CONTROL电平为高时,Vgs>NMOS的Vgs导通阀值,MOS导通,负载工作。CONTROL电平为低时,Vgs=0,MOS关断,负载停机。1.1、设计时注意事项1.1.1、泄放电阻R1上面这个电路中,通常都会在NMOS的G极、S极间,并联一个10K左右的电阻。这个电阻通常被叫做泄放电阻,用来泄放GS极间的电荷。加它的原因是因为MOS的GS极间的阻...

告诉你什么是功率半导体士兰微到底强在哪里?

进一步提高其工作频率仍然受到基区和集电区少子储存效应的影响。70年代中期发展起来的单极型MOS功率场效应晶体管,由于不受少子储存效应的限制,能够在兆赫以上的频率下工作。这种器件的导通电流具有负温度特性,不易出现热激发二次击穿现象;需要扩大电流容量时,器件并联简单,且具有较好的线性输出特性和较小的驱动功率;在...