MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

1)高压MOSFET产品性能的关键指标之一是导通电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能越强。在电压为限定条件时,功率MOSFET的导通电阻与栅极电荷的乘积越小,该器件性能更优,技术更加先进。2)高压MOSFET产品性能的另外两个关键指标是导通电阻Ron以及耐...

MOS管参数解析及国内外大厂技术对比

优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高。根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能,松下FCAB21890L、松下FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌IQE013N04LM6、英飞凌IAUT260N10S5N0...

中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

1.3导通电阻功率MOSFET器件的导通电阻Ron是指漏源电流Ids流过的所有区域的电阻之和。Ron的大小决定了器件的通态损耗,并可能影响MOSFET导通电流的能力。在图2中,SiCMOSFET的导通电阻由6个部分组成,RN+是源极扩散电阻,RCH是沟道电阻,RA是累积电阻,RJ是两个体区之间区域的JFET元件电阻,RD是漂移区域电阻,RSub为衬...

保护器件之-过压保护OVP芯片

有的OVP是固定电压,而有些是可调的VOVLO。3.导通电阻Ron导通电阻Ron是非常关键的参数,因为电流会通过MOS,所以导通电阻就决定了经过MOS后的压降,并且由于有功率损耗,导通电阻也会决定芯片发热量大小。假设导通电阻200mΩ,那么在1A电流下就会有0.2V的压降,在一些设计中这个是很大的压降,因此这个参数一定要注意。

技术文章—MOS管栅极驱动电阻该如何设计

实际的QG还可以略大,以减小等效RON,但是太大也无益,所以10V到12V的驱动电压是比较合理的。这还包含一个重要的事实:需要一个高的尖峰电流以减小MOS管损耗和转换时间。重要是的对于IC来说,MOS管的平均电容负荷并不是MOS管的输入电容Ciss,而是等效输入电容Ceff(Ceff=QG/UGS),即整个0...

【电路学干货】MOS管应用概述

mos管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要(www.e993.com)2024年11月10日。上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间。定义如下图:

看完这篇,请不要再说不懂MOSFET!|晶体管|dc|mosfet|电容|栅极...

认识MOSFETMOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路;(1)主要选型参数:漏源电压VDS(耐压),ID连续漏电流,RDS(on)导通电阻,Ciss输入电容(结电容),品质因数FOM=Ron*Qg等。(2)根据不同的工艺又分为...