科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率

c-BAs具有高的热导率以及超弱的电声耦合系数和带间散射,理论预测c-BAs同时具有颇高的电子迁移率(1400cm2V-1s-1)和空穴迁移率(2110cm2V-1s-1),这在半导体材料系统中颇为罕见,有望将其应用在集成电路领域来缓解散热困难并可实现更高的运算速度,因而通过实验来确认这种高热导率的半导体材料的载流子迁移率具...

【悦读科学】立方砷化硼载流子迁移率的精准测量

然而,由于目前制备的样品均一性差并且杂质非常多,2021年通过霍尔效应测定的载流子迁移率仅为22cm2/(Vs)[3]。最近,国家纳米科学中心刘新风团队通过超快载流子扩散显微成像系统首次成功测定了砷化硼的本征载流子迁移率,并在高能激发的情况下测到了砷化硼中的热载流子扩散,该研究成果发表于Science[4]。1....

科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率

c-BAs具有高的热导率以及超弱的电声耦合系数和带间散射,理论预测c-BAs同时具有颇高的电子迁移率(1400cm2V-1s-1)和空穴迁移率(2110cm2V-1s-1),这在半导体材料系统中颇为罕见,有望将其应用在集成电路领域来缓解散热困难并可实现更高的运算速度,因而通过实验来确认这种高热导率的半导体材料的载流子迁移率具有重...

浅析几种迁移率概念——DJ from进化半导体材料有限公司

“碳化硅的电子迁移率是900,碳化硅MOSFET的沟道迁移率是50,体迁移率是1000”看到这样的介绍,或许你非常疑惑,为什么同一种材料中有这么多的迁移率?我们在听讲座或者看相关文献的时候,也经常会遇到不同的迁移率:霍尔迁移率,漂移迁移率,沟道迁移率,体迁移率等等。这里,就让我来为大家具体分析一下这些不同的迁移率。...

新国立江东林《Chem》:前所未见!二维共价有机框架中的特殊电子...

假设Drude-Smith散射时间等于Drude散射时间,则本征载流子的迁移率可推算为13.3±7.5cm2V-1s-1。DFT计算表明,COF中电子传输的电子耦合大于空穴传输的电子耦合(Ve>Vh),这与霍尔效应中观察到的电子传输结果一致。CuPc-MIDA-COF的近零重组能表明平面层的紧密面面堆叠结构可以最小化结构重组能。此外...

PRL导读-2018年121卷05期

文章中,作者展示了对超过79个巴特尔旋转的、能量范围为1到50GeV的原初宇宙射线中电子流和正电子流复杂时间和能量依赖的高统计性、精细测量,数据来源为阿尔法磁谱仪从2011年5月到2017年5月的实验结果(www.e993.com)2024年11月8日。这是历史首次,仅通过轻子就可以详细研究太阳活动高峰期间的电荷符号依赖调制。基于23.5×106个事件,他们报告了在几个...

大众投票开启 | 2022中国十大新锐科技人物评选候选工作展示

成果简介:世界上首次精确测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率。立方砷化硼具有高的载流子和热载流子迁移速率,以及其超高的热导率,表明立方砷化硼可以广泛应用于光电器件、电子元件领域。该研究工作厘清了理论和实验之间存在具大差异的具体原因,为该材料的大规模应用指明了方向。