...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度,减缓了电场强度并改善了漏电金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“,授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提出一种...
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓...
目前,成熟的超高压功率器件是垂直型Si绝缘栅双极晶体管或Si晶闸管,但它们的开关频率非常低。一种解决方案是采用宽禁带半导体SiC功率器件,以大幅度提高开关频率。但是,SiC超高压器件需要特殊的厚外延工艺,且需要将外延材料的背景掺杂控制到极低的水平,这需要极高的成本。对于SiC功率器件,额外的成本还包括...
...使场效应晶体管具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度
金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管和形成半导体结构的方法“,公开号CN202410175854.7,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,场效应晶体管包括:源极侧掺杂阱、漂移区域阱、源极区域、漏极区域;浅沟槽隔离结构,包括位于漂移区域阱上面并且与源极...
标题仅三个单词!有机双极晶体管,登上《Nature》
放大的现象证明了少数载流子通过基底的扩散,对于具有1wt%基底掺杂的器件,少数扩散长度至少为20nm。基于一组新器件的OBJT操作显示器件具有改进的电极几何形状,寄生电极重叠面积的减小提高了晶体管性能,这与TCAD模拟一致。作者进一步通过拟合经典的双极跃迁关系估算了空穴通过n掺杂红荧烯的扩散长度与校准的TCAD模拟一起大...
功率晶体管的历史和新兴设计
功率双极晶体管架构(图1左侧)与信号晶体管不同,它需要支持高电压和控制功率应用中所需的高电流。功率晶体管需要垂直结构,其中一个高电流端子(集电极)位于芯片底部,另一个高电压端子(发射极)在顶部。基极端子必须与发射极交叉,由于发射极拥挤效应,通态电流集中在发射极边缘。需要具有低掺杂浓度的厚漂移区来支持高电压...
晶体管的发展史:技术如何逼近极限?
晶体管是一个三端设备,可以看作是一个电控开关(www.e993.com)2024年8月15日。其中一个终端用作控制端子。理想情况下,如果将电流施加到控制端子,则该设备将充当两个端子之间的闭合开关,否则将充当断开开关。1958年,德州仪器(TI)的JackKilby建立了第一个集成电路,该集成电路由连接在一块硅上的两个双极晶体管组成,从而开启了“硅时代”。早期...
...814、214等AC输入晶体管光耦等多项产品的开发及量产(附调研问答)
公司中高端光耦产品的发展战略清晰明确,积极布局及开发泛新能源领域新产品和车规产品。已完成DIP4、DIP8MOS系列对射式平台,车规级超高压1500V光MOS继电器,814、214等AC输入晶体管光耦,单球贴片接收头,BT基板贴片红外LED等多项产品的开发及量产。问:请问贵司下半年各大业务板块的发展规划?
晶体管的分类及不同类型| BJT、场效应管、NPN、PNP
下面给出了N沟道MOSFET晶体管的符号和结构(增强模式和耗尽模式)。P沟道MOSFET在源极和漏极之间具有P沟道区的MOSFET称为P沟道MOSFET。这里,源极和漏极端子用P型材料重掺杂,而衬底用N型材料掺杂。源极和漏极之间的电流流动是由于空穴浓度。在栅极施加的电压将控制流过沟道区的电流。
功率半导体,尘埃未定
首先,我们有必要先回溯下功率半导体的发展历史:早在20世纪50年代末双极结晶体管(BJT)首次发明,20世纪60年代出现了功率二极管和晶闸管,70年代和80年代又出现了绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等新型功率半导体。此后,该行业不断通过设计和工艺上的优化来不断提升硅功率半导体的性能,...
如何避免MOSFET常见问题和失效模式
闩锁效应是由寄生在功率MOSFET中的NPN双极结型晶体管(BJT)产生。如果器件的结构使得寄生BJT附近的电场很高,则大量电流将流过其基极电阻,从而在基极和***极之间产生电压。如果此电压达到某个阈值,双极晶体管就会导通,大部分雪崩电流会流经它,从而产生潜在的破坏性影响,因为没有办法可以控制电流。