美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”
专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓...
目前,成熟的超高压功率器件是垂直型Si绝缘栅双极晶体管或Si晶闸管,但它们的开关频率非常低。一种解决方案是采用宽禁带半导体SiC功率器件,以大幅度提高开关频率。但是,SiC超高压器件需要特殊的厚外延工艺,且需要将外延材料的背景掺杂控制到极低的水平,这需要极高的成本。对于SiC功率器件,额外的成本还包括...
双极晶体管基础知识解析
晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。打开网易新闻查看精彩图片双极晶体管分类晶体管分类:双极型晶体管和场效应管双极型晶体管分类:NPN型管和PNP型管双极晶体管特点输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系...
Intel断言没戏的碳基晶体管来了
MWCNT刚性且短,有效浓度为0.5%-5%,只能用于生产黑色导电材料,不能用于透明导电材料,由于所需浓度高会降低材料的机械性能。SWCNT是CNT家族中性能更高的变体。与MWCNT相比,取决于手性,它既可以提供优异的性能,如导电性,也可以提供完全独特的半导体或金属功能。不过,SWCNT也面临着挑战,尤其是在制造业(产量、杂质、有意...
晶体管的分类及不同类型| BJT、场效应管、NPN、PNP
双极结型晶体管仅由提供给基极的输入电流导通。BJT可以在三个区域运行。他们是:截止区域:此处晶体管处于“关闭”状态,即流过晶体管的电流为零。它基本上是一个打开的开关。有源区:此处晶体管充当放大器。饱和区:此处晶体管处于完全“导通”状态,也可用作闭合开关。
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
二者都可以实现晶体管的放大特性(www.e993.com)2024年9月11日。BJT器件基本结构BJT器件由两个背靠背的p-n结构成。由于用于电流传输的p-n结包含电子与空穴两种载流子,所以BJT器件取名为“Bipolar(双向/双极)”JunctionTransistor。虽然BJT由两个p-n结构成,但不是任意两个背靠背的p-n结二极管都可以构成BJT。BJT器件对于各区的掺杂浓度以及...
功率半导体,尘埃未定!
这些衬底允许生长额定电压高于1,000V的晶体管所需的低缺陷密度器件层。按照他们的说法,在Si上生长的GaN,缺陷密度为~108至1010cm??。这些缺陷会影响器件的高压操作可靠性。因此,没有任何额定电压高于900V的GaNHEMT商业化发布,大多数仅限于650伏。而他们的革命性方法使得在GaN衬底上生长的垂直传导...
碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星
同时,在助熔液中增加Al可获得高载流子浓度的p型SiC晶体,且相比PVT法,溶液法长晶速度提高了5倍左右;但存在碳化硅晶体中金属残留的问题,且生长的晶体尺寸小,目前仅用于实验室生长。2.1.2、晶体加工:切片和薄化为主要技术难点晶体加工环节,切片和薄化为主要技术难点。碳化硅衬底的质量和精度直接...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电,BJT既然叫双极性晶体管,那其内部也必然有空穴和载流子,理解这两种载流子的运动是理解BJT工作原理的关键。由于图中e(发射极)的P区空穴浓度要大于b(基极)的N区空穴浓度,因此会发生空穴的扩散,即空穴从P区扩散至N区。同理,e(发射极)的P区电子浓度要小于b...
后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
而Dekker等人制造的碳管晶体管使用Pt或Au作为电极,接触势垒较大[8,9]。因此,2003年AliJavey和DaiHongjie等人经过大量尝试,发现可通过使用高功函数的金属钯(Pd)作为碳纳米管的电极来得到无势垒P型欧姆接触的弹道晶体管,其室温下开态电导接近量子电导的理论极限,首次展现了碳纳米管晶体管的高性能优势[10]。2007年,...