碳化硅行业专题分析:国内衬底厂商加速布局
根据Yole(悠乐咨询《全球碳化硅市场2022年度报告》)数据,2022年全球第三代半导体材料碳化硅(SiC)渗透率为3%。1)第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)为代表,广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的;2)第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(...
集成的层次和环节
现在的5nm工艺可以在1mm??毫米的面积上制造出超过1亿只以上的晶体管。晶体管的制造过程,主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺,一般称之为前段工艺(FEOL,FrontEndofLine)。单晶硅通过离子注入可形成,N、N+、N-,P、P+、P-等多种不同参杂浓度的半导体,多晶硅则作为栅极或者电阻使用。下图所示...
深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王
比如可以通过在P型硅片上生成一层N型硅外延层,这样就形成了一个低浓度参杂的PN结,为后续芯片制造中起到优化击穿电压,降低闩锁效应等等目的。外延层厚度一般根据使用场景不同而不同,一般逻辑芯片的厚度为0.5微米到5微米左右,功率器件由于需要承受高电压,所以厚度为50微米到100微米左右。▲外延硅...
一文看懂电路三个层次的集成
现在的5nm工艺可以在1mm??毫米的面积上制造出超过1亿只以上的晶体管。晶体管的制造过程,主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺,一般称之为前段工艺(FEOL,FrontEndofLine)。单晶硅通过离子注入可形成,N、N+、N-,P、P+、P-等多种不同参杂浓度的半导体,多晶硅则作为栅极或者电阻使用。下图所示...
半导体设备发展趋势与前景分析
在先进制程要求越发精细化的趋势下,等离子体刻蚀遇到困难:通过高温高压轰击进行刻蚀,虽然快速高效,但是容易损坏芯片结构,且在反复刻蚀循环后,一个电晶体闸极结构可微缩至10nm,制程中只允许在1nm范围变化,等离子体刻蚀在深宽比/选择比/均匀性上出现难关。
LDMOS结构特点和使用优势
这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率,且线性较好(www.e993.com)2024年8月15日。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数,因此可以防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB,而在有相同的输入电平的情况下,双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。
深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王【附下载】| 智东西...
比如可以通过在P型硅片上生成一层N型硅外延层,这样就形成了一个低浓度参杂的PN结,为后续芯片制造中起到优化击穿电压,降低闩锁效应等等目的。外延层厚度一般根据使用场景不同而不同,一般逻辑芯片的厚度为0.5微米到5微米左右,功率器件由于需要承受高电压,所以厚度为50微米到100微米左右。