等静压“阀芯碳化硅陶瓷密封环”的成型工艺
加压固化:将封装好的模具置于等静压机中,在高压力环境下,各个方向上均匀施加压力,使粉末充分压实,形成预期形状的坯体。脱模与后处理:压制完成后,从模具中取出坯体,进行必要的后处理,包括干燥和初烧,以准备后续的烧结工序。等静压成型的优势碳化硅陶瓷环加工精度密度均匀:等静压技术能够在各个方向上均匀施压,确保...
金博股份:公司碳/陶复合材料由高强度碳纤维、热解碳、碳化硅组成
金博股份(688598.SH)6月18日在投资者互动平台表示,公司碳/陶复合材料由高强度碳纤维、热解碳、碳化硅组成,其具备低密度、耐高温、磨损性能优异、抗热衰等性能特点。公司拥有完整的长纤维预制体编织、化学气相沉积、陶瓷化技术组成的碳/陶全产线核心技术,可为客户提供高性能碳/陶复合材料产品的解决方案。(记者...
第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...
①耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。②耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可...
产品说|碳化硅模组封装材料大盘点:AMB陶瓷基板篇
近年来,功率半导体器件逐步被应用于各种电子系统中,特别是在新能源汽车、5G通信、轨道交通、光伏与风力发电等领域对功率半导体器件的性能要求越来越高,包括耐高温、耐高压、高频率、高功率密度等。陶瓷基板因其优异的热导性、电绝缘性、机械强度和化学稳定性,成为功率半导体封装的理想材料。特别在碳化硅模组封装方面,AMB...
德国元素Elementar | 锂离子电池中碳、氢、氮、硫与氧元素分析的...
样品:50mg碳化硅粉末实验数据:德国元素Elementar在120余年前(1897年),就一直致力于元素分析领域的发展,并于1904年,成功研发并推出第一台元素分析仪。1923年,FritzPregl凭借Heraeus(德国元素的前身)分析技术,在微量元素分析基础研究中取得突破性进展,荣获诺贝尔化学奖。作为引领元素分析的技术主导者,德国元素Elementar历...
关于“碳化硅国家标准”的那些事,你了解多少?
碳化硅磨料国家标准的演变1、GB2480—83相当于强制性标准,各企业必须无条件执行(www.e993.com)2024年9月9日。2、GB/T2480—1996《普通磨料碳化硅》避免功能过剩、功能不足,是标准制修订历史上的重大突破。3、GB/T2480—2008《普通磨料碳化硅》标准指标加严,增加了黑碳化硅微粉指标。4、目前正在进行的GB/T2480—2008《普通磨料...
技术与商业双轮驱动,全面解析碳化硅产业链新机遇
根据中电科55所专家测算,在新能源汽车应用领域,OBC:6.6KW~11KW,碳化硅替代SJMOS,可使功率密度提升50%、系统损耗降低45%,节约了系统成本及运行成本;主驱逆变器:100KW~250KW,碳化硅替代IGBT模块,可使系统尺寸减小50%,重量减轻40%,整车续航提升5%。在轨道交通领域,高压碳化硅MOSFET替代IGBT模块,可使体积缩小95%、损...
碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星
LPE法利用“溶解-析出”原理生长碳化硅晶体,在1400-1800℃下将碳溶解在高温纯硅溶液中,再从过饱和溶液中析出碳化硅晶体,需添加助熔剂增大C的溶解度。LPE法长晶温度较低,减少了冷却时由热应力导致的位错,碳化硅晶体位错密度低,结晶质量高,可实现无微管缺陷晶体生长。同时,在助熔液中增加Al可获得高载...
绿碳化硅微粉的物理性能
1、密度:各样绿碳化硅微粉晶形的颗粒密度十分近乎,普通觉得是3.20克/立方毫米,其磨料的当然堆砌密度在1.2--1.6克/立方毫米其间,其高矮在于于粒度号、粒度合成和颗粒形状。2、硬度:绿碳化硅微粉的莫氏硬度为9.2,威氏显微密硬度为3000--3300公公斤/平方毫米,努普硬度为2670-2815公公斤/毫米,在磨料中高于刚玉而仅次...
碳化硅,究竟贵在哪里?
由以上可以看出,碳化硅制备的工艺实现条件要求极高有以下几点:(1)碳化硅粉料合成过程中的环境杂质多,难以获得高纯度的粉料;作为反应源的硅粉和碳粉反应不完全易造成Si/C比失衡;碳化硅粉料合成后的晶型和颗粒粒度难控制;(2)2,300°C以上高温、接近真空等在密闭石墨腔室内完成“固-气-固”的转化重结晶过程,生长...