热压烧结氮化硅陶瓷转盘环性能优化

适当的压力可以有效提高氮化硅陶瓷的密度和强度,但过高的压力可能导致材料的脆裂。4.添加剂的选择在氮化硅陶瓷的烧结过程中,适量的添加剂(如氧化铝或碳化硅)可以改善材料的烧结性能,提高其致密度和力学性能。氮化硅陶瓷加工精度三、优化热压烧结氮化硅陶瓷转盘环性能的方法为了提高氮化硅陶瓷转盘环的性能,研究者...

碳化钨对氮化硅陶瓷常压烧结微观结构影响的实验研究

实验发现,当碳化钨含量为3.9wt%时,常压烧结氮化硅陶瓷的致密化效果最好,相对密度可达到98.5%,室温抗弯强度高达948MPa。这一结果不仅展示了碳化钨作为增强相的潜力,也为制备高性能氮化硅陶瓷提供了新的思路。氮化硅陶瓷球进一步的研究表明,碳化钨在烧结过程中有部分固溶到氮化硅基体晶格中,随着碳化钨含量的增加,...

2024年全球氮化硅陶瓷基板市场专业调查研究报告-聚亿信息咨询

图00001.氮化硅陶瓷基板，全球市场规模，按产品类型细分，0.32mmSiN基板处于主导地位就产品类型而言，目前0.32mmSiN基板是最主要的细分产品，占据大约91.0%的份额。图00001.氮化硅陶瓷基板，全球市场规模，按应用细分，汽车是最大的下游市场，占有79.4%份额。就产品应用而言，目前汽车是最主要的需求...

自润滑“低密度石墨碳化硅陶瓷”的性能提升措施

生物相容性:良好的生物相容性,可用于医疗器械和植入物。密度:适中,适合多种应用场景。碳化硅陶瓷性能参数二、性能提升措施1.材料选择与设计晶粒细化:通过控制原料的粒度,使陶瓷材料的晶粒更加细小,从而提高其力学性能和耐磨性能。添加增强相:引入纳米氧化物颗粒或其他高强度纤维,如碳纤维或玻璃纤维,以增强材...

安徽蓝讯申请掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片制备方法专利,得到的氮化硅...

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,安徽蓝讯通信科技有限公司申请一项名为“一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备方法”的专利,公开号CN118754679A,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种掺杂硅粉的氮化硅陶瓷基片的制备方法,包括步骤

2024年氮化硅陶瓷材料行业市场分析现状

据中研普华产业研究院发布的《2024-2029年中国高纯氮化硅行业发展趋势与投资咨询报告》显示，2024年高纯氮化硅市场规模已达到2.46亿元人民币，并预计在未来几年内将持续增长(www.e993.com)2024年12月19日。这一增长动力主要源自新能源汽车、半导体、5G通信等领域的快速发展。特别是新能源汽车领域，氮化硅陶瓷材料因其优异的耐高温、耐磨损、耐腐蚀等...

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第一批共确定26项攻关项目及21家揭榜主体,由该县高富氮化硅材料有限公司报送的“芯片封装高导热氮化硅陶瓷基板项目”是邢台市唯一上榜项目。据报道,该项目通过研究流延工艺和烧结技术,制备出芯片封装高导热氮化硅陶瓷基板,采用气压烧结后续热处理的烧结技术,增大氮化硅β相晶粒的长径比,提升了氮化硅陶瓷基板的热导率...

...公司聚焦IGBT等大功率半导体封装用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷...

公司聚焦IGBT等大功率半导体封装用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷基板、直接键合铜DBC和活性金属钎焊AMB覆铜基板产品研发,目前尚在研发阶段。直接键合铜DBC和活性金属钎焊AMB覆铜基板因载流量大、耐高温、导热性好及热膨胀系数与半导体芯片更匹配等优异性能,在IGBT等大功率半导体器件的封装中得到了广泛的应用。具体研发进展请...

氮化硅陶瓷漏片制备:热等静压与气压烧结之比较

1.致密性:热等静压技术由于其等向加压的特性,能够在材料内部实现更均匀的压力分布,从而获得更高的致密度。相比之下,气压烧结虽然也能提高致密度,但在压力分布上可能不如热等静压均匀。2.微观结构:热等静压技术有助于改善氮化硅陶瓷的微观结构,减少缺陷和孔隙,这对于提高材料的高温绝缘性能至关重要。气压烧结虽...

晶澳科技:高热导氮化硅陶瓷坩埚技术尚在测试阶段,主要使用石英...

如果不能代替石英坩埚,那么其主要在哪些方面还差于石英坩埚?谢谢。公司回答表示:目前高热导氮化硅陶瓷坩埚技术尚在测试阶段,其主要性能指标尚不满足拉晶生产要求。公司主要使用石英坩埚,并与辅材供应商保持长期技术合作,持续关注技术工艺进步动态,以实现降本增效。