吃透MOS管,看这篇就够了
上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:1)MOS管是一个由...
MOS栅极-源极的下拉电阻作用
GS之间有一层绝缘体,也就是二氧化硅(SiO2),因此G-S之间就是高阻抗(几十到几百兆不等),一旦驱动异常,它可能会通过米勒电容的电流给G-S充电,小电流高阻抗可能对应着高电压,栅极电压被充电,当超过门槛电压“Vgs(th)”,就会导致MOSFET重新开通,这是十分危险的情况。可以看这个反激电源拓扑的MOSFET驱动,它就是米...
MOS管G极与S极之间的电阻作用
在GS之间并联一个电阻(阻值约为几K到几十K),可以有效保障MOS管正常工作。首先,门极悬空时DS之间电压不会导致MOS管导通损坏,同时在没有驱动时能将MOS管的门极钳在低位,不会误动作,能可靠通断。
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通,所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理(www.e993.com)2024年9月9日。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上电压,而栅源电压VGS=0,则由于...
MOS管基础及选型指南
当栅极G和源极S之间不加任何电压,即VGS=0时,由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底,相当于两个背靠背连接的PN结,它们之间的电阻高达1012Ω,即D、S之间不具备导电的沟道,所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压,都不会产生漏极电流ID。N沟道增强型MOS管结构示意图...
一文搞懂IGBT
当VGS≥VGS(th)时,栅极G和衬底p间电场增强,可吸引更多的电子,使得衬底P区反型,沟道形成,漏极和源极之间电阻大大降低。此时,如果漏源之间施加一偏置电压,MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与VGS成线性关系,如下图所示。这里MOSFET的栅源电压VGS类似于IGBT的栅射电压VGE,漏极电流ID类似于IGBT的...
打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
L6562A图腾柱输出级可提供600mA源电流和800mA灌电流,适合驱动大电流MOSFET或IGBT。另外该器件的功耗极低(启动前最大60??A,工作时<5mA),并具有适用于集成电路远程开/关功能,从而更容易满足节能要求(蓝天使、能源之星、Energy2000等)。应用案例:...
不同的电平信号的MCU如何通信?
MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S~150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。