8种开关电源MOS管的工作损耗计算
开启过程损耗,指在MOSFET开启过程中逐渐下降的漏源电压VDS(off_on)(t)与逐渐上升的负载电流(即漏源电流)IDS(off_on)(t)交叉重叠部分造成的损耗。开启过程损耗计算:开启过程VDS(off_on)(t)与IDS(off_on)(t)交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之VDS(off_end)、开启完...
吃透MOS管,看这篇就够了
由于氧化物层是绝缘的,栅极所加电压VGS无法形成电流,氧化物层的两边就形成了一个电容,VGS等效是对这个电容充电,并形成一个电场,随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道,当VGS大于管子的开启电压VT...
MOS管烧了,可能是这些原因
如果MOS管未完全开启,则设备在传导过程中将具有高电阻,并且会以热量的形式消耗大量功率,10到15伏之间的栅极电压可确保大多数MOS管完全开启。缓慢的开关转换在稳定的开启和关闭状态期间耗散的能量很少,但在过渡期间耗散了大量的能量。因此,应该尽可能快地在状态之间切换以最小化切换期间的功耗。由于MOS管栅极呈现电容...
MOS管基础及选型指南
对NMOS来说,Vg-Vs>Vgs(th),即G极和S极的压差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,否则烧坏MOS管,开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。▉与三极管的区别三极管是电流控制,MOS管是电压控制...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
当VGS大于管子的开启电压VT(一般约为2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID,我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压,一般用VT表示。控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。
如何让MOS管快速开启和关闭
对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS管开启的速度就会越快(www.e993.com)2024年9月21日。与此类似,如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短,那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。
汽车PMIC应用,谁是强者?
芯洲科技目前上线10多款车规电源芯片产品:LDO、降压变换器、升压/升降压/反激控制器、MOS管驱动、功率保护器件、集成PMIC产品等。为智能座舱/ADAS域应用、车载动力域、车身域等各类车载应用提供全方位的电源解决方案。其中包括车载摄像头PMICSCT61240Q。
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
**2.关于mos管开启电压参数说明:**一般在datasheet中,我们一般都只仅仅关注了两个参数值,如下图中参数:我们许多初级的设计师,在使用mos管一般就会仅仅只关注这两个参数,即Vgsmax与vgsth。vgsmax在上面参数中,我们已有说明。这里我们重点说明下**vgsth**这个参数:...
升压转换器短路怎么办?看这一文,4种短路保护总结
栅极阈值电压应该足够低,这样的话可以方便MOS管轻松开启和关闭。负载开关是集成附加电路的功率MOS管,其功能可能包括偏置MOS栅极的电荷泵和电平转换器。以及在电流过大时关闭开关的过流保护功能。与使用MOS相比,使用负载开关具有以下优点:减少BOM数量
保护器件之-过压保护OVP芯片
如下图是一款OVP芯片的内部框图,基本逻辑是当输入电压过大时,内部逻辑及驱动电路将关断MOS管,此时输入与输出将断开,起到保护作用。UVLO(UnderVoltageLockOut),指低电压保护;OVLO(OverVoltageLockOut),指过压保护OVP,此芯片同时支持低压与过压保护。OTP(OverTemperatureProtection),指过温保护;...