中国三氧化二铝(氧化铝)行业发展现状及市场竞争格局分析报告

工业氧化铝是由铝矾土（Al2O3·3H2O）和硬水铝石制备的，对于纯度要求高的Al2O3，一般用化学方法制备，是电绝缘体，300℃时体积电阻率为（1.2×1013Q．cm）。几乎不溶于水及乙醇、乙醚等非极性有机溶剂。在弱酸或弱碱中溶解度很小。溶于浓硫酸，缓慢溶于碱液中形成氢氧化物。电解铝对氧化铝的需求是当前氧...

全球与中国高纯氧化铝CMP磨料市场布局分析及投资潜力研究报告

氧化铝是一种拥有较高硬度和良好磨削性能的磨料，它在自然界中存在多种同质异性相，其中α-Al2O3因具备高强度、高硬度、高电阻率等诸多优良性能，被广泛应用于航天、磨料、半导体等领域。氧化铝表面细腻，质地坚硬，莫氏硬度约为9，仅次于金刚石，可以有效去除硬质材料表面的突出部分，以实现较高的材料去除率；它在化...

旭光电子:氮化铝是第三代半导体关键材料,发展前景广阔

氮化铝因具备高热导率(氧化铝陶瓷材料的7-10倍)、热膨胀系数与Si匹配度高、高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、化学稳定性等特性,是国内外公认的第三代半导体关键材料和电子器件的先进封装材料。随着第三代半导体技术的快速发展,市场对散热效率提升和功耗降低的需求愈加凸显;氮化铝材料凭借其出色的导热和散热性能,...

...制备方法、耐火炉衬和高温炉专利,低电阻率电熔铬刚玉的电阻率低

低电阻率电熔铬刚玉主要由按照质量百分比计的如下组分制备而成:39%~45%锆英砂、20%~24%工业氧化铝粉、3%~6%ρ??Al2O3、24%~27%铬源、3%~6%尖晶石和2%~2.5%纯碱;所述铬源包括电熔铬和/或铬绿;尖晶石中,按质量百分比计,MgO≥12%,Fe2O3≥40%,Al2O3≥30%。本发明提供的低电阻率电熔铬刚玉的电...

混凝土中的偏高岭土:氧化铝的作用

我们现在有四年的数据,我试图将其包含在演讲中,但未能成功。我们可以再次看到非常相似的快速氯离子渗透性测试数据。如果我们看一下孔溶液的离子电导率,并确定这些混凝土的形成因子,它们会非常相似。然而,偏高岭土提供了更强的氯离子渗透阻力。这是因为在形成因子或任何电阻率测试中,我们没有包括氯离子结合的影响。

概念动态|旭光电子新增“第三代半导体”概念

2024年10月22日,旭光电子(600353)新增“第三代半导体”概念(www.e993.com)2024年11月24日。据同花顺数据显示,入选理由是:2024年10月22日互动易回复,氮化铝因具备高热导率(氧化铝陶瓷材料的7-10倍)、热膨胀系数与Si匹配度高、高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、化学稳定性等特性,是国内外公认的第三代半导体关键材料和电子器件的先进封装材...

高温体积电阻率/表面电阻率测定仪

16.体积电阻率:103~1018Ω-cm;17.表面电阻率:103~1017Ω;18.电极材料:316不锈钢;19.电极引线:紫铜镀金,带同轴屏蔽层,消除电磁干扰;20.电极绝缘:995氧化铝陶瓷,高温不氧化,不形变;21.中心电极:直径50.8mm;22.圆环电极:内径57.2mm;23.下电极:直径60.6mm;...

电子行业深度报告:先进封装助力产业升级,材料端多品类受益

晶圆制造方面,随着制程越来越先进,芯片铜互连成为主流技术。芯片铜互连的制造工艺是在晶圆的沟槽上采用电镀的方法沉积、填充铜金属的工艺,铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁移性,能够满足芯片尺寸更小、功能更强大、能耗更低的技术性能要求。先进封装方面,凸块电镀、再分布线、硅通孔(TSV)电镀等是超越摩尔定...

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

这一层膜用于低电阻率的金属互联。六氟化钨为成膜气体,通过还原反应:WF6+3H2→W+6HF使六氟化钨在高温下被氢气或者其他还原性气体(如GeH4、SiH2F2和二乙基硅烷等)还原为金属钨和HF,因此六氟化钨作为原材料广泛应用于电子工业中金属钨化学气相沉积(CVD)工艺技术的基础。比如用WF6制成的WSi2...

氧化铝陶瓷密度及它的优势介绍

氧化铝陶瓷体积密度3.7g/cm3.氧化铝陶瓷垫片氧化铝陶瓷属性氧化铝具有很高的熔点、坣壱屲高硬度和高机械强度,虽然机械强度温度下降到超过1000°C,由于相对大的热膨胀系数的增大,因此热震稳定性下降。氧化铝陶瓷是一种电绝缘材料,具有高电阻率,坣壱屲它还具有良好的化学稳定性氧化铝,所以耐蚀性好,氧化铝不溶于水,...