如果说7nm是制程工艺物理极限 那么1nm是什么概念?

从芯片的制造来看,7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。那么,为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限,碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢?面对美国的技术突破,中国应该怎么做呢?XXnm制造工...

苹果4代芯片对比:证明芯片工艺,越来越假,接近极限了

但实际才提升了20-25%左右,可见现在的3nm,真的是快接近芯片极限了,因为接近极限,所以才提升这么难,所以工艺,是真的越来越假,注水量越来越多了,你觉得呢?按照这个逻辑,接下来的2nm、1nm之类的工艺,其实也是等效工艺,估计同样注水严重,有实力可以上这种工艺,搞搞噱头,没实力的话,上不上这些工艺,并不重要,因为...

台积电推2nm,芯片制程极限升级,2nm或不再是我们理解的2nm了

从原理上说,2nm制程芯片也和以往的芯片都不相同,它需要在每平方毫米的面积上,植入3亿颗晶体管,相当于在一个指甲盖那么大的面积里,塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度,需要将芯片制造技术从2D平面,扩展到3D立体层面,像搭积木一样向上堆叠,才能进一步提升晶体...

超越理解的边界:台积电2nm革命,芯片制程极限重塑

据了解，台积电再次赢得了苹果的订单，预计将用于2025年上市的iPhone17Pro。从原理上讲，2纳米制程芯片与以往的芯片截然不同，每平方毫米的面积上需植入3亿颗晶体管，相当于在指甲盖大小的区域内，挤入近400亿颗晶体管。这不仅是技术的飞跃，更是人类智慧的结晶。这个数量是当今主流5nm芯片的两倍之多，堪称一次巨...

事实证明,五纳米就是硅基芯片的极限,台积电给自己挖了一个小坑

面对五纳米以下制程的技术迭代，台积电遭遇的困境无疑给整个产业链敲响了警钟。作为领先的芯片代工厂商，台积电必须尽快解决三纳米工艺的问题，恢复客户信心，确保技术优势。同时，产业链其他环节的企业也应该加强合作，共同推动技术创新，实现产业升级。只有如此，才能在未来的激烈竞争中立于不败之地。总结：从目前的情况...

AI时代,我们需要怎样的国产芯片?|甲子引力X

互联它又分片内和片外,片内我们想现在就是说,因为比方说我们先进制成,如果不是那么好好用的话,我们可能就把很多个比较小的Die(裸芯片),把它用Die-to-Die(D2D)的互联的IP把它连起来,包括片上网络这些,从而我们可以利用先进封装(比如2.5D的封装,CoWoS封装)实现在比较低的制程下获得比较大算力的方法(www.e993.com)2024年11月9日。

人工智能撞上“功耗墙” 终极解决方案是什么?

对于AI的能耗问题,清程极智相关负责人Eric对第一财经表示,在芯片方面,更先进的芯片工艺,不论是提高制程的3纳米或是采用chiplet的方式,都可以满足提升算力性能的同时降低功耗。与芯片相关联的是系统层面,如何更好地做编译优化,将单块芯片的效率提高,并进一步将几千张、几万张芯片连接在一起,将并行框架做好,提高整...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

目前来说,光刻机共经历了五代发展,随着波长从最早的436nm到最新的13.5nm,芯片制程也逐渐达到接近极限的3nm。光刻机性能如何,有两个关键所在:一是光刻机波长,二是物镜系统的数值孔径(NA)。根据知名公式——瑞利判据,即CD=k1*λ/NA。CD代表线宽,即芯片可实现的最小特征尺寸;λ代表光刻机使用光源的波长,NA指...

中芯的好消息:EUV光刻机没有下一代,芯片工艺达到极限

因此，台积电在综合考虑价格和产能等因素后，决定继续采用多重曝光技术，在标准EUV光刻机上制造1.6nm芯片。台积电强调，并非仅凭HighNAEUV才能进入2nm以下制程，事实上，标准EUV光刻机同样具备此能力。自然，台积电并未作出绝对的论断，也没有排除采用高数值孔径EUV的可能性。具体是否采用，需视具体情况而定，...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

目前来说,光刻机共经历了五代发展,随着波长从最早的436nm到最新的13.5nm,芯片制程也逐渐达到接近极限的3nm。光刻机性能如何,有两个关键所在:一是光刻机波长,二是物镜系统的数值孔径(NA)。根据知名公式——瑞利判据,即CD=k1*λ/NA。CD代表线宽,即芯片可实现的最小特征尺寸;λ代表光刻机使用光源的波长,NA指...