...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

“业内人士认为NORFlash在下一代的时候工艺会进入瓶颈,未来可以替代NORFlash的是ReRAM,但是ReRAM目前量产最大的容量是12Mb。若要替代NORFlash,ReRAM的容量需要达到16Mbit到1Gb。”冯逸新表示。富士通FeRAM/ReRAM的应用定位赋能多个热门产业应用,智能存储获得广泛落地在数字化转型的汹涌浪潮之下,存储技术的创...

高速高容量铁电存储器有望诞生

铁电存储器最大的优点在于读写速度快.目前,在使用电脑读取硬盘时,无法实现较快速度的原因不在于CPU的技术,而是因为大量的时间耗费在数据交换上.相比现在使用广泛的闪存硬盘以毫秒为单位的运转速度,铁电存储器可以达到几十纳秒,快了106倍,可广泛应用于高性能移动数字设备和电脑中,大大提升了读写...

华为公司申请铁电存储器专利,实现低成本的大容量存储器

该铁电存储器包括存储阵列,所述存储阵列包括X行×Y列存储结构,每个所述存储结构包括依次层叠的Z个存储单元;X、Y、Z为大于1的整数;每个所述存储单元包括依次层叠的多个铁电电容和一个晶体管;其中,每个所述存储结构的Z个存储单元的晶体管均共用一个源极或漏极;每个所述存储结构中共用的源极或漏极沿Z个存储单元...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM在市场上的应用规模比较小，主要有两大瓶颈：一是容量有限，目前最大容量只有8Mbit；二是容量有限，目前最大容量只有8Mbit。其次，其成本较高，限制了其更广泛的应用。“至于未来如何实现大容量发展，通常的做法是在现有8Mbit的基础上，通过多台堆叠的方式来扩大容量。比如可以通过两台单元堆叠来实现，也可以...

8KB 容量能用 200 年?能做出这玩意儿的真是个人才!

针对这个价格,人家说,这个8KB的特殊U盘之所以卖这么贵,因为成本高啊!说是这款特殊U盘用了一种FRAM存储介质,也可以看作铁电存储器。综合对比之下,采用这种特殊介质,可以让这款U盘在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改等方面都具有优势。

国芯思辰|兼容MB85RS2MT,国产铁电存储器SF25C20可用于医疗器械

??容量:2Mbit,提供SPI接口;??工作频率是25兆赫兹;??高速读特性:支持40MHz高速读命令;??工作环境温度范围:-40℃至85℃;??封装形式:8引脚SOP封装,符合RoHS;??性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯);注:如涉及作品版权问题,请联系删除(www.e993.com)2024年11月17日。

国芯思辰| 铁电存储器SF25C20(MB85RS2MT)在新能源汽车BMS中应用

SF25C20容量2Mbit,封装为8引脚SOP封装,可以PINTOPIN兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯)。最低功耗9微安(待机),工作电压2.7V至3.6V,可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。综上所述,无论在写入速度、耐久性还是在功耗与可靠性方面,铁电存储器都是目前实现高可靠性BMS系统的最佳存储器选择。

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

“业内人士认为NORFlash在下一代的时候工艺会进入瓶颈,未来可以替代NORFlash的是ReRAM,但是ReRAM目前量产最大的容量是12Mb。若要替代NORFlash,ReRAM的容量需要达到16Mbit到1Gb。”冯逸新表示。富士通FeRAM/ReRAM的应用定位赋能多个热门产业应用,智能存储获得广泛落地...

新兴存储,冰火两重天

因此,业界开始对新兴存储技术寄予厚望,越来越多的新兴技术迅速涌现。目前业界主要聚焦的新兴存储器主要包括四种:铁电存储器(FeRAM/FRAM)、阻变存储器(ReRAM/RRAM)、磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PCM),这些新兴存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性,并具有Flash的非易失特性。

存储芯片,中国什么时候能成?

在内存这个类别中,最重要的是DRAM(动态随机存取存储器),因为其常年占据全球存储类芯片市场半壁江山。综合来看,DRAM结构简单,能够拥有非常高的密度,单位体积的容量较高,成本较低。再往下,领导标准机构JEDEC(固态技术协会)将DRAM定义为标准DDR、移动DDR、图形DDR三个类别,分别对应电脑内存、手机运存、显卡显存。