荣耀电子材料(重庆)有限公司取得便于取放的晶圆片的晶圆盒专利,使...

金融界2024-10-2517:45:08金融界2024年10月25日消息,国家知识产权局信息显示,荣耀电子材料(重庆)有限公司取得一项名为“一种便于取放的晶圆片的晶圆盒”的专利,授权公告号CN221861603U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种便于取放的晶圆片的晶圆盒,涉及晶圆盒技术领域,包括晶圆盒...

英飞凌宣布推出全球最薄硅功率晶圆,国产器件同质化竞争要加剧了?

晶圆是制造半导体器件的基础材料,其厚度对于器件的性能和制造过程至关重要,通常在几十到几百微米之间。目前,??40-60μm??是这一范围内的常见值,也是英飞凌20μm超薄功率半导体晶圆发布之前的最高水平,适用于多种不同的半导体器件制造需求。将晶圆厚度从??40-60μm降低到20μm,具有非常多的好处。首先是能够...

晶圆边缘的缺陷挑战为何越来越突出

“晶圆破损最常发生在快速热退火或CMP等加工步骤中,”Wall说道,“但作为破损前兆的缺陷可以在该步骤之前的许多不同工艺步骤中形成——例如,通过影响晶圆边缘的处理错误。如果晶圆上不存在这些缺陷,那么晶圆在RTA或CMP期间就不会破损。”根据具体器件和产量,提高晶圆边缘的芯片良率可以带来可观的回报。DRYield首席执行...

矽电股份取得顶出装置及生产线专利,兼容性优良避免晶圆片受损

第一顶升组件适于在周部厚度大于主体部厚度时顶升周部,以使晶圆片与承载面间隔。第二顶升组件适于在周部厚度等于主体部厚度时顶升主体部,以使晶圆片与承载面间隔。本方案的顶出装置及生产线兼容性优良,对于normal晶圆片与Taiko晶圆片均能够稳定传递,应用范围广,且可以有效避免晶圆片受损,保障晶圆自动化测试...

常州银河电器申请轴向超薄芯片产品制造方法专利,制备得到的二极管...

一种轴向超薄芯片产品制造方法,包括以下步骤:S1、晶圆片选择:选择电阻率为15??23Ω*cm,厚度为220??240μm的单晶片作为待处理晶圆片;S2、晶圆片处理:对待处理晶圆片进行正面研磨、预扩散、背面研磨、硼扩散、双面研磨、表面金属化、划片处理,得到中间晶圆片;S3、封装:将中间晶圆片经焊接、酸洗、上胶、固化、...

佳恩科技取得一种超薄衬底外延生长装置及制备方法专利,使晶圆底衬...

佳恩科技取得一种超薄衬底外延生长装置及制备方法专利,使晶圆底衬受热和外延生长厚度更均匀,httpsm.jrj/madapter/finance/2024/08/20021342501321.shtml

Santec推出TMS-2000高精度晶圆厚度测量系统

其工作台设计能够容纳12英寸的晶圆,自动定位缺口位置和晶圆中心,自动加载坐标数据。除了基础的厚度测量和线轮廓分析,TMS-2000还能进行符合SEMI标准的平整度参数的统计分析,并以任意形式显示和输出数据。此外,系统还能解析指定两片晶圆的厚度差异,为监测抛光过程提供便利。

【技术沙龙】光谱共焦应用之晶圆几何参数测量

定义:通过扫描模式或一系列点测量过程中遇到的最大厚度值与最小厚度值之间的差值。上图显示了放置在两个非接触式测量探针之间的晶圆。通过监测上部探针面与上部晶圆表面(A)以及下部探针面与下部晶圆表面(B)之间的变化,可以计算出厚度。首先,必须使用已知厚度(Tw)的晶圆校准系统。将已知厚度的区域放置...

优睿谱完成新一轮数千万元融资,系半导体前道量测设备商

优睿谱Eos200DSR是一款兼容8/6寸晶圆尺寸,用于测量SOI晶圆表面多层不同材料薄膜厚度的全自动化设备。其中一个应用是同时测量SOI晶圆的二氧化硅和宽范围顶层硅厚度。Eos200DSR可以在测量几十纳米至几微米的BOX的同时,完成小于1微米至几百微米的顶层硅厚度的测量。该设备也可以应用于其它材料的薄膜量测要求,比如新崛起...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

对于晶圆级封装而言,特别是倒片封装,光刻胶层的厚度须达到30μm至100μm,才能形成焊接凸点。然而,通过单次旋涂很难达到所需厚度。在某些情况下,需要反复旋涂光刻胶并多次进行前烘。因此,在所需光刻胶层较厚的情况下,使用层压方法更加有效,因为这种方法从初始阶段就能够使光刻胶薄膜达到所需厚度,同时在处理...