内置MOS全集成三相直流无刷电机BLDC驱动芯片方案

(2)正弦波控制:使用的是SVPWM波,输出的是3相正弦波电压,电机相电流为正弦波电流。可以认为在一个电气周期内进行了多次的连续变化换向,无换相电流突变。显然,正弦波控制相比方波控制,其转矩波动较小,电流谐波少,控制起来感觉比较“细腻”。高集成度一直是集成电路设计行业不断探索的目标。就电机驱动控制专用芯片而言,如...

MOS驱动好不好,波形一看就知道

一般认为三极管是电流驱动型,所以驱动三极管,要在基极提供一定的电流。一般认为MOS管是电压驱动型,所以驱动MOS管,只需要提供一定的电压,不需要提供电流。实际是这样吗?由于MOS管的制作工艺,决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容,DS也有寄生电容,这使得MOS管的驱动变得不那么简单。备注:如下图为软件绘制...

为啥MOS 管需要驱动电路?

要将导通电阻降至其最低水平的390m??,栅极电压必须为-4.5V。即便如此,这仍然比之前看到的互补n沟道MOSFET高155m??,并突显了p沟道MOSFET的另一个问题——相对较高的RDS(ON)。假设有一种方法使Arduino将栅极电压向下移动-5V,p沟道高边开关的响应将如下所示:从上图中可以看...

吃透MOS管,看这篇就够了

当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场,由于氧化物层是绝缘的,栅极所加电压VGS...

MOS管及其外围电路设计

式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos管关断时DS电压上升时间(该时间一般在datasheet中也能查到)求得。从上面的分析可以看到,在mos管关断时,为了防止误开通,应当尽量减小关断时...

MOS管烧了,可能是这些原因

栅极驱动不足(不完全开启)MOS管只能切换大量功率,因为它们被设计为在开启时消耗最少的功率(www.e993.com)2024年11月10日。工程师应该确保MOS管硬开启,以最大限度地减少传导期间的耗散。如果MOS管未完全开启,则设备在传导过程中将具有高电阻,并且会以热量的形式消耗大量功率,10到15伏之间的栅极电压可确保大多数MOS管完全开启。

LED驱动电源电路分析

内置高电压功率MOS管650/1.9欧姆,支持通用交流输入电压AC85V--265V,该IC的驱动电路通过脉冲检测漏电流峰值,在D/ST(7脚,8脚)端电压高于OCP电压时关闭功率MOS管,漏电流保护连接在s/ocp(1脚)和GND(3脚)间的电流采样电阻。当采样电阻的压降达到OCP电压阀值,就关闭功率MSG管。

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

低压MOS主要是40V、60V、100V的平面型、沟槽型和屏蔽栅MOSFET。2021年以来，由于单车用量大、应用场景又多又复杂，市场上缺货缺得厉害。中压SGTMOSFET呢，这是一种车规级的MOSFET产品，工作电压范围一般在30V到250V之间。当中压处于100V-250V的时候，常常会把多个MOSFET单管并联起来，用在A00级的小型电动汽车...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

电阻在电路中起到限流、分压等作用。通常1/8W电阻已经完全可以满足使用。但是,在作为7段LED中,要考虑到LED的压降和供电电压之差,再考虑LED的最大电流,通常是20mA(超高亮度的LED),如果是2×6(2排6个串联),则电流是40mA。电位器又分单圈和多圈电位器。单圈的电位器通常为灰白色,面上有一个十字可调的旋纽...

MOS管驱动电流估算

当然这也只能估算出驱动电流的数值,还需进一步测试MOS管的过冲波形。在设计驱动电路的时候,一般在MOS管前面串一个10Ω左右的电阻(根据测试波形调整参数)。这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算。下面讲讲MOS管开通过程开始给MOS管Cgs充电,当电压升到5V时,Id流过一定的电流。继续充...