荷兰“投降”,中方官宣国产光刻机,刚过15天,荷派人赴美摊牌

虽然28纳米的突破未能给美国和荷兰造成“心理阴影”，但全球顶级芯片正向7纳米、5纳米的制程迈进。中国的28纳米光刻机虽有所进展，但与ASML的EUV光刻机相比，仍显“低配”。2023年初，SMEE传来好消息，表示14纳米光刻机已经研发成功。这使得国内半导体公司十分欣喜，因为这意味着可以减少被“卡脖子”的情况，许多国...

李渊回:国产光刻机获重大突破!华为麒麟芯片要涅槃归来?

第一：28纳米节点，国产设备全面突破。第二：这个机器不止可以做28纳米的芯片，还可以做14纳米的芯片，14纳米的话无非是良品率高低的问题。14纳米相当于什么水平呢？就是麒麟710的那个水平。这个芯片目前主要用在华为畅享系列手机上，之前华为的部分平板好像也曾用过这个芯片。第三：官方公布这个消息意味着28纳米设备...

国产光刻机重大突破!28纳米芯片全流程国产化,龙头厂商梳理

想象一下,这台设备需要用极紫外光,将复杂的电路结构“刻”在芯片上,而每一道光都要精准到纳米级别,这对光源的稳定性和精度提出了极高要求。近年来,国产光刻机在光源系统上的突破,使得国内企业在高端设备制造上开始展现出新的实力。国产光刻机的未来展望然而,尽管技术进步显著,国产光刻机依然面临不少挑战。

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

总体来说,这次曝光的国产DUV光刻机,应该是之前90nm分辨率的国产光刻机的改良版,能用于55—65nm的成熟制程芯片制造需求。“工信部表格里不止氟化氩光刻机,还有配套设备,是个小生态。看工艺节点,都侧重成熟区间,尤其28纳米。”王如晨表示,如果规模化推广,FAB(晶圆厂)成功量产,中国除了手机等场景外,有更大或者说真...

美论坛惊讶,中国怎敢擅自研发光刻机?国产光刻机官宣,打谁的脸

我国在重重的技术封锁之下,工信部DUV光刻机官宣,氟化氩193nm波长、8nm的套刻精度光刻机已经进入推广目录。从“氟化氩光刻机”的参数来看,其分辨率≤65nm,套刻≤8nm。按套刻精度与量产工艺1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,虽然与国外先进的光刻机

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

02氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度,与ASML旗下TWINSCANXT:1460K性能相近(www.e993.com)2024年11月1日。03目前光刻机国产化率仅为2.5%,核心原因在于零组件供应与整机技术与海外差距较大。049月18日,光刻机概念板块整体涨幅达2.47%,其中同飞股份、波长光电等均收获涨停。

国产光刻机进展太慢?重点不是这个

最近网上有很多关于中国工信部发布的光刻机技术讨论的分析文章,大致认为工信部发布的这款光刻机相当于阿斯麦15至20年前的产品,主要应用于55至65纳米的工艺。这与大家所理解的能够生产8纳米或7纳米的先进工艺有较大差距。因此,许多人看完这些技术分析后,觉得我们的进步不够快。然而,实际上大家看错了重点。

美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

氟化氩光刻机里比较先进的那种，照明波长是193nm，分辨率最多是65nm，套刻最多是8nm。看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，好多外国媒体都惊叹中国先进技术的发展速度真快。还有啊，光刻机的研制牵扯到好多不同的...

「一水」国产光刻机落后20年?回答几个大家比较关心的问题。

第四个问题:如果是分辨率65nm的干式步进式光刻机,相当于什么水平?能做多少纳米芯片呢?直接说答案,从性能参数来看,大概相当于ASML的XT1460k。1460k不知道什么时候生产的,但是1470是2020年的产品。所以有人说不如ASML20年前的技术是不对的。如果对标XT1460k的话,那么对应的最小制程估计就是65nm。但你说,这...

正式确认,国内的光刻机完全可以生产5纳米,先进工艺不再是桎梏

一直以来,国产芯片研发先进工艺都存在不小的争议,因为ASML没有将先进的EUV光刻机卖给中国芯片企业,中国芯片企业之前买下的最先进光刻机也是2000i,台积电曾以这款光刻机生产7纳米。为了打破芯片工艺对国产芯片的限制,国内芯片制造企业一直在尝试以现有的浸润式DUV光刻机开发7纳米乃至5纳米工艺,其中的一项重要技术是多...