EMC整改之X电容和Y电容

安规电容包含X电容和Y电容两种,它普通电容不一样的是,普通电容即使在外部电源断开之后,它内部储存电荷依然会保留很长一段时间,但是安规电容不会出现这个问题。安规电容大多数为蓝色、黄色、灰色以及红色等。1、安规X电容X电容是跨接在电力线两线之间,即“L-N”之间,X电容器能够抑制差模干扰,通常采取金属化薄...

为什么最初设计时就会避开钽电容?三大理由让你清楚了解

这一点,铝电解电容由于电解质干涸,寿命更短。其他特定场景:钽电容具有优良的性能,体积小且电容大,它在电力滤波器、交流旁路等方面几乎没有竞争对手。例如在大容量,但是需要低ESL的场景,我们就选用钽电容。结语:整体来看,钽电容虽然有贵、容量较小、耐电压性能不够好的缺点,但是相比电解电容,钽电容寿命更长,对...

PCB设计有什么“捷径”可以走?这些经验一定得看!

2)差分信号线一般都是走的高速信号,其要满足阻抗的对称性,差分线不能交叉走线,线长相差不能超过100mil,差分线之间和单个差分线到地之间都要满足阻抗要求。差分走线过孔不能超过4个,差分线对间的间距满足3W规则。3)一般晶振、pll滤波器件、模拟处理信号处理芯片、电感、变压器下禁止走时钟线、控制线、电磁敏感线。

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即:C=εS/4πkd。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d(ε为极板间介质的介电...

干货| 图文解读电路中的27种电容

1、滤波电容滤波电容接在直流电压的正负极之间,以滤除直流电源中不需要的交流成分,使直流电平滑,通常采用大容量的电解电容,也可以在电路中同时并接其它类型的小容量电容以滤除高频交流电。2、退耦电容退耦电容并接于放大电路的电源正负极之间,防止由电源内阻形成的正反馈而引起的寄生振荡。3、旁路电容在交直流...

「电工基础知识100问」20年老电工都不一定全清楚!

当不同金属的电缆需要连接时,如铜和铝相连接,由于两种金属标准电极位相差较大(铜为+0.345伏,铝为-1.67伏)会产生接触电势差(www.e993.com)2024年11月25日。当有电解质存在时,将形成以铝为负极,铜为正极的原电池,使铝产生电化腐蚀,从而增大接触电阻,所以连接两种不同金属电缆时,除应满足接触电阻要求外,还应采取一定的防腐措施。一般方法是在...

【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...

一般在400V高压平台下,功率器件所需要承受的最大电压在650V左右,采用SiIGBT器件即可满足要求;而800V电压下,功率器件对应的耐压等级需要提高至1200V,虽然SiIGBT器件也可满足1200V的耐压要求,但是SiIGBT的导通损耗和开关损耗有明显上升,使得硅基IGBT的实际经济性大为降低,因此在800V高压平台中企业更倾向选择高频低...

【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...

一般在400V高压平台下,功率器件所需要承受的最大电压在650V左右,采用SiIGBT器件即可满足要求;而800V电压下,功率器件对应的耐压等级需要提高至1200V,虽然SiIGBT器件也可满足1200V的耐压要求,但是SiIGBT的导通损耗和开关损耗有明显上升,使得硅基IGBT的实际经济性大为降低,因此在800V高压平台中企业更倾向选择高频低...

半导体专题:一文看懂薄膜生长

(1)低压CVD:在低压CVD中,反应气体在较低的压力下引入,通过表面上的化学反应形成薄膜。这种方法适用于高温度和高真空条件。(2)大气压CVD:大气压CVD在大气压下进行,相对于低压CVD更容易实施。这种方法适用于某些应用,但通常要求较高的反应温度。(3)化学液相沉积(ALD):ALD是一种逐层生长薄膜的方法,通过交替引入...

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

金属靶材一般要求超高纯度,杂质占比不能超过0.01%。根据江丰电子公告,大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高,通常要求达到99.9995%(5N5)以上,平板显示器、太阳能电池用铝靶的金属纯度略低,分别要求达到99.999%(5N)、99.995%(4N5)以上。铝靶早已被用来作为集成电路互连和触点。铝的问题...