华光光电申请一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法...

专利摘要显示,本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法,属于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明大功率激光器的待镀金区域为薄金种子层,非镀金区域为纳米级SiO2绝缘层,代替了较厚的光刻胶绝缘层,从而降低电镀后大功率半导体激光器图形化的偏离度,改善纵向发散角;同时,此方法为全覆盖TiP...

面发射半导体激光器实现效率突破

半导体激光器自问世以来,与其他类型的激光器相比,其中最引人注目之一的优势是能够实现极高的电光转换效率。追求半导体激光器的超高效率仍然是光子学和激光物理学的一个重要目标。边发射半导体激光器(EEL)自诞生起,其功率转换效率(PCE)的记录不断刷新,2006年在-50℃下达到了85%的历史最高效率记录。紧接着,2007...

三巨头争霸半导体激光器

1962年7月9日,麻省理工学院林肯实验室的研究人员RobertKeyes和TheodoreQuist在固态器件研究会议的观众面前宣布,他们正在开发一种实验性半导体激光器,IEEE院士PaulW.Juodawlkis在麻省理工学院举行的IEEE里程碑揭幕仪式上发表演讲时说道。Juodawlkis是麻省理工学院林肯实验室量子信息与集成纳米系统小组的主任。

技术分享|半导体激光器为什么需要窄线宽?

即相位和振幅会相互影响从而使线宽展宽。线宽公式如下:式中,Vg为等效群速度,hv是激光线的能量,g是激光器的增益,nsp是自发辐射因子,alpham是端面损耗,Po是端面的输出功率,alpha是线宽增强因子。根据1982年Henry阐述的半导体激光器的线宽理论,激光器的线宽大致可以归因于光场的相位抖动。相位抖动一部分来源于自发辐射...

激光无线能量传输(LWPT)与太阳电池效率研究

实验中激光器采用功率可调的波长为915nm和808nm的半导体激光器,激光通过准直扩束系统后对光伏电池全覆盖辐照,并使用功率计测量激光功率。分别采用尺寸为3cm×4cm的GaAs光伏电池与尺寸为2cm×2cm的Si光伏电池进行研究。改变激光参量与光伏电池参量,通过I-V测试仪对光伏电池在不同条件下的输出特性进行动态诊断,同时...

基于LabVIEW的半导体激光器测试系统*

半导体激光器的光谱特性测试是指在恒定工作电流条件下,激光器对其光谱特性指标的测量及计算,这些参数包括如下(www.e993.com)2024年11月10日。2.1峰值波长峰值波长是指施加电流到恒定值时激光器所呈现的波长特性,取光谱强度最大Ih对应的波长λp为峰值波长,如图4所示。图4激光器峰值波长...

金刚石封装半导体激光器特性研究

使用氮化铝热沉作为过渡热沉封装同批次芯片5只,封装完成后采用同种方式测试激光器热阻,可得氮化铝热沉作为过渡热沉封装的激光器热阻为2.91℃/W。由此可见,金刚石过渡热沉与传统的氮化铝过渡热沉相比可有效降低激光器热阻。图5激光器P-I曲线...

中科院:半导体所硅基外延量子点激光器研究取得进展

图1.硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si...

Nature:重大突破!有机激光器问世!

他们通过电流脉冲驱动有机发光二极管(OLED)来测试激光器的性能。通过观察线宽、输出功率、发光束的特性以及特定增益介质和谐振器的发射特性,确认了这个设备的激光特性。实验结果表明,在特定电流密度下,设备表现出明显的激光特性,包括窄线宽、发光束的形成和与增益介质相符的发射特性。此外,研究人员还测量了激光的极化性质...

具有高发射功率的单模准PT对称激光器

作者通过实验展示了一种新型电泵浦大面积边发射激光器,它具有高发射功率(??0.4W)和高质量光束(M2~1.25)。该激光器是通过在大面积双模激光器腔体的二阶模式和单模辅助伴侣腔的二阶模式之间建立准宇称时间(PT)对称性来实现的,即通过在两个耦合的腔体之间实现部分等谱性。以此扩大高阶模式的有效体积。并且通过...