中科院大新闻!咱们能造5纳米的高级芯片啦,GAA技术让科技更进步

这次中科院推出的5纳米GAA芯片绝对不是闹着玩的。GAA即为Gate-All-Around的缩写，简单来说就是给芯片中的晶体管套上一层"紧身衣”，从而实现更精准的电流控制、更强大的性能以及更省电。这项技术堪称世界尖端水平，之前只有三星和台积电有能力研发。然而，我们应该保持理性。尽管技术取得了突破，但要想实现大规模生产...

美国施压下的中国反击:7纳米芯片技术取得重大进展!

9月14日，工信部公布了国产氟化氩光刻机，光源193纳米，能实现分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，主要应用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片。此外，哈工大公布的“高速超精密激光干涉仪”研发成果，被认为是解决7nm以下光刻机难题的关键技术之一，长春光机所也在EUV光源系统上取得突破。这一切都表明，中国在光刻机技术方...

「7纳米以下」芯片光刻技术获专利!外媒:中国大陆正迎头赶上

报导指,EUV光刻技术是一种先进的芯片制造技术,可以在半导体晶圆上绘制极其精细的电路,从而生产出更小、更强大的芯片。这项技术使用极紫外光(EUV)作为光源,比传统光刻技术能实现更高的精度。拥有EUV光刻技术专利意味着掌握了制造7纳米以下芯片的关键能力。据相关报导,上海微电子此次披露的专利主要涉及EUV光源和光刻...

国产光刻机重大突破!28纳米芯片全流程国产化,龙头厂商梳理

在技术层面,光刻机内部构造极其复杂,其核心组件,包括光源系统、投影系统等,都需要极高的精密度。尤其是光源系统,堪称光刻机的心脏。想象一下,这台设备需要用极紫外光,将复杂的电路结构“刻”在芯片上,而每一道光都要精准到纳米级别,这对光源的稳定性和精度提出了极高要求。近年来,国产光刻机在光源系统上的...

1.8纳米18A芯片,挑战行业格局,英特尔决意背水一战?

这款处理器不仅是技术创新的里程碑，更是英特尔战略转型的关键。与此同时，至强6系列处理器的全新成员GraniteRapids横空出世，其搭载的性能核（P-core）技术，让英特尔在核心数上首次超越了AMD的EPYC系列。不过，ClearwaterForest的真正魅力，在于它将是首个采用Intel18A（1.8纳米）工艺节点实现量产的芯片。这一...

科技企业高管说:我国芯片技术能解决7纳米已很了不起,3/5纳米不容易!

全球制造芯片技术最先进的仅有三星和台积电,美国的Intel曾是全球芯片制造技术领导者,不过从2014年量产14纳米之后,Intel就放缓了创新的步伐,而三星和台积电则保持了1-2年升级一代芯片制造技术的步伐,从而超过了Intel,成为芯片制造技术的领导者(www.e993.com)2024年11月3日。台积电又稍微领先三星一筹,不过强如台积电以现有的DUV光刻机也只是做到7纳...

我国研发出首个碳纳米管张量处理器芯片

该芯片采用新型器件工艺和脉动阵列架构,将3000个碳纳米管晶体管集成为张量处理器芯片,将碳基电子学从器件研究推向系统演示,显著提升卷积神经网络的运算效率,功耗极低,且准确率达到88%。此外,碳基晶体管展现出比硅基CMOS晶体管更优的速度、功耗等综合优势,碳基张量处理器在180纳米技术节点具有3倍性能优势,并有延续至...

3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?

第一步:理解光刻技术。光刻技术是指通过使用光将电路图案转移到硅片上的过程。传统上,我们使用的是193纳米的深紫外(DUV)光源。然而,随着芯片特征尺寸越来越小,传统DUV光源难以实现精细的图案。图:EUV光刻机第二步:引入EUV技术。EUV(极紫外光刻)使用13.5纳米的波长,可以更好地刻蚀出精细的图案。EUV技术有助于...

培训通知 | 扬清芯片2024第二期微流控技术培训班报名通知

《微流控芯片技术简介》讲师:湛位博士浙江扬清芯片技术有限公司,产品经理。华中科技大学精密测量物理学博士,东南大学纳米材料学硕士。博士期间主要研究方向为微流控芯片表面修饰、光流控、基于光与流体相互作用的粒子操控技术研究,并长期从事于微流控芯片制备、微流控检测设备开发、材料表面改性、光电传感器等相关的...

...2英寸二硫化钼单晶薄膜,开关比接近10的9次方,推动亚纳米芯片...

根据最新技术路线的预测:二维芯片技术将于2034年正式实现商业化,从而提升“后摩尔时代”集成电路性能。作为一种二维半导体材料,二硫化钼凭借多种优点成为解决硅基器件微缩瓶颈、以及构筑集成度更高、速度更快、功耗更低的下一代新型芯片的理想材料。为了实现二维半导体全部潜力及其在高性能芯片上的应用,非常有必要在...