良品率为0?三星3纳米现状如何

专家称,最新芯片的良品率仍然很低,随着更多产品的产出,赤字会越来越大。对于三星电子采用3纳米工艺的最新芯片的发展情况,韩国媒体DealSite9月报道说,随着三星电子在GalaxyS25上搭载移动应用程序处理器“Exynos2500”的失败,对过早引进3纳米工艺的怀疑越来越大。纳米是指半导体电路线宽的单位,线宽越窄,功耗越低,...

国内半导体大佬承认差距:先进芯片很难追上,应优先成熟工艺!

叶甜春就国内芯片发展现状给出客观评价,坦言国产芯片较海外顶尖水平性能至少落后5年。以龙芯为例,其4月推出的处理器虽可与第十代Intel酷睿一较高下,但仍难与AMD、Intel及高通最新产品匹敌。华为的麒麟芯片也逃不开行业大势。尽管宣称采用7纳米工艺,实则多半依赖DUV光刻机的多重曝光技术,性能和成本均难与海外大牌比肩。

直击国产AI芯片生存现状

清华大学教授、集成电路学院副院长尹首一解读了大模型时代算力供需间的困难:芯片工艺面临Scaling-down极限,致使工艺红利带来的算力提升难以为继;系统面临Scaling-out瓶颈,通信带宽不足导致系统性能损失。破解这两大难题的机会在于算力芯片计算架构和集成架构的联合创新:计算架构创新使每个晶体管都被充分利用、发挥更强算力;...

直击国产AI芯片生存现状:GPU造血,TPU突袭,Chiplet成大势,网络卡脖子

清华大学教授、集成电路学院副院长尹首一解读了大模型时代算力供需间的困难:芯片工艺面临Scaling-down极限,致使工艺红利带来的算力提升难以为继;系统面临Scaling-out瓶颈,通信带宽不足导致系统性能损失。破解这两大难题的机会在于算力芯片计算架构和集成架构的联合创新:计算架构创新使每个晶体管都被充分利用、发挥更强算力;...

中国半导体现状:7nm及其以下芯片生产仍困难,发力10-28nm等制程

纵观中国芯片产业的现状和发展趋势,我们可以看到其面临的主要挑战有:在先进工艺和设备制造能力方面,我们与国际先进水平存在明显差距。这不仅源于基础理论研究的滞后,更多是由于长期依赖进口设备、自主创新能力不足。中国芯片产业的发展也受制于核心人才的匮乏。由于这一领域的高强度脑力劳动特点,对人才的要求非常高,而...

中国现在能做几nm芯片

一、技术现状先进制程工艺：近年来，中国芯片制造业在追赶国际先进水平的道路上不断迈进(www.e993.com)2024年11月9日。国内领先的芯片厂商如龙芯中科等，已经开始向7纳米（nm）制程过渡，并计划在这一年研制相关IP与测试片，预计将在特定时间段内实现流片。这标志着中国芯片制造业在先进制程工艺上取得了重要突破。量产能力：目前，中国已经实现了14...

一万五千字详解什么是芯片流片

与流片厂商的沟通:确定具体的工艺参数,如掺杂浓度、氧化层厚度等,这些都是影响芯片性能的关键因素。材料选择也至关重要,不同材料的物理和化学特性直接影响芯片的性能和可靠性。测试方案制定:决定如何对流片后的芯片进行全面的性能和可靠性测试,以确保芯片满足设计要求。

第三代半导体发展现状及未来展望

国内主要第三代半导体企业同样采用IDM模式,同时仍不断涌现出向IDM模式转型的企业,如2021年斯达半导体宣布募资20亿元投资高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目,并计划提升SiC芯片及车规级全SiC功率模组生产能力。这标志着其开始从Fabless向IDM模式的转变。

【光电集成】晶圆键合工艺及键合设备市场情况

实现3D封装的首要因素是晶圆片要薄,薄的晶圆可以更容易实现TSV穿孔工艺,而且如果芯片叠起来过厚就不利于用在终端设备中。因此目前行业内都在往50微米到100微米的级别靠拢,甚至有一些客户在往更薄的级别努力。一个50微米厚度的12吋晶圆片像纸一样薄,很难进行后续的光刻、湿制程等工艺,为了节省成本,各企业都希望不...

中国芯片未来发展,这些问题是关键

在器件工艺部分,我国虽然可以通过深紫外光刻技术达到28nm工艺,甚至通过多重曝光技术实现7nm工艺,但与国际前沿技术相比尚存在较大差距。在设计方法与工具部分,随着工艺微缩和新型体系结构的涌现,传统电子设计自动化(electronicdesignautomation,EDA)技术面临设计验证周期长、优化效率低、国产化率低等挑战。在芯片架构部分...