布局泛半导体设备洗净服务 雅克科技完成收购海力士配套服务商...

“无锡爱思开希之所以亏损，是因为该公司前期主要给海力士提供半导体设备再生制造服务，客户来源比较单一，下游市场尚未真正打开。”一位接近标的公司的业内人士对《科创板日报》记者表示。雅克科技表示，随着产能释放，上市公司协同效应的发挥，无锡爱思开希的收入水平及市场占有率将得到提升。“本次并购的一个核心商业逻辑是...

爱思开海力士申请半导体器件和用于形成其的方法专利,用于形成...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和用于形成其的方法”的专利,公开号CN118943170A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本公开涉及半导体器件和用于形成其的方法。一种半导体器件包括:沟槽,其形成在衬底中;栅极介电层,适用于覆盖沟槽的底表面和侧壁;...

欧莱新材:溅射靶材已进入越亚半导体、SK Hynix等供应体系

公司回答表示,尊敬的投资者,您好!溅射靶材是制备半导体集成电路的核心材料之一,主要应用于晶圆制造和芯片封装环节;公司溅射靶材已进入越亚半导体、SKHynix(海力士)等知名半导体厂商的集成电路封装材料供应体系;此外,公司正推进实施“半导体集成电路靶材研发试制基地项目”,旨在提升公司在半导体集成电路溅射靶材领域内的技术创新...

龙头炸裂财报验证HBM火爆需求 A股哪些半导体公司有望受益?

SK海力士强调,以数据中心客户为中心,AI内存需求持续强劲,公司通过扩大HBM和eSSD等高端产品的销售,创下了自成立以来的最高收入。美银认为,SK海力士的HBM业务正在迅速扩张。基于销售量和价格均将有所上升的前提,预计SK海力士的HBM销售额将从2023年的23亿美元增长到2024年和2025年的92亿和158亿美元。对此,SK海力士在...

三星半导体业务危机蔓延,大批工程师考虑跳槽海力士

三星半导体业务危机蔓延,大批工程师考虑跳槽海力士,工程师,半导体,海力士,晶圆厂,三星公司,三星电子,芯片制造商

太极实业---国资HBM半导体---猛干_太极实业(SH600667)_股吧_新浪...

公司半导体业务主要是为海力士的DRAM产品提供后工序服务(www.e993.com)2024年11月22日。海力士是以生产DRAM、NANDFlash和CIS非存储器产品为主的半导体厂商,目前在韩国有一条8英寸晶圆生产线和两条12英寸晶圆生产线,在中国无锡有一条12英寸晶圆生产线。SK海力士是世界前三大DRAM制造商之一。国资---公司的最终控制人为无锡市国有资产管理委员会全部...

爱思开海力士申请半导体器件的专利,有利于制造存储单元

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和用于制造其的方法”的专利,公开号CN118785722A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,公开了半导体器件和半导体器件的制造方法。在实施例中,一种半导体器件可以包括多个存储单元,多个存储单元中的每一...

爱思开海力士申请半导体器件和制造方法专利,提高半导体器件性能

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN118900567A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本公开涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件可以包括：包括与多个第一绝缘层交替堆叠的多个第一导电层的第一栅极...

爱思开海力士申请半导体存储器装置及制造方法专利,提高半导体存储...

金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN118900566A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本文提供了半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一栅极层叠体，其...

...精选股票仓位创新高,张坤:当前投资者可用低价买到优秀公司的股权

韩国海力士半导体公司新进持仓前十其实,不仅仅是易方达蓝筹精选与易方达优质精选,澎湃新闻记者发现,在2024年三季度,由张坤管理的易方达优质企业三年持有同样增持了山西汾酒,该股于三季度重回前十大重仓股。值得一提的是,阿里巴巴同样首次被易方达优质企业三年持有买入便进入前十大重仓股,位列第三大,持股数量为460万股。