MOS管G极与S极之间的电阻作用
2.MOS管G极与S极之间的电阻作用反激电源图:R3为GS电阻用一个简单的实验证明GS间电阻的重要性:取一只mos管,让它的G极悬空,然后在DS上加电压,结果发现输入电压才三四十伏的时候,MOS管的DS就会直接导通,如果不限流则可能损坏。按说此时没有驱动,MOS管不应导通。但其实由于MOS管寄生电容的存在,当在DS之间加电...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
????2如果输出电流比较大,输出的电平就会降低(电路中已经有了一个上拉电阻,但是电阻太大,压降太高),就可以用上拉电阻提供电流分量,把电平“拉高”。(就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上,这时总电阻减小,总电流增大)。当然管子按需要工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现门电路...
MOS管及其外围电路设计
该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路,如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS管急剧发热甚至爆炸,一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减掉。因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一...
MOS管基础及选型指南
某些应用场合,也会选择走体二极管,以降低DS之间的压降(体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的),同时也要关注体二极管的过电流能力。当满足MOS管的导通条件时,MOS管的D极和S极会导通,这个时候体二极管是截止状态,因为MOS管的导通内阻极小,一般mΩ级别,流过1A级别的电流,也才mV级别,所以D极和S极之间的导通...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求(www.e993.com)2024年10月21日。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...
MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标,也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。通常来说,MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数,单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系,因此...
MOS管G极串联电阻如何抑制谐振?
MOS管G极串联电阻如何抑制谐振?从前面内容知道,源内阻越小,负载阻抗越大,就越容易产生谐振尖峰。我们画出此时曲线。可以看到,谐振频率52Mhz处增益达到了好几十倍。而MOS管驱动信号可以看作是一个阶跃信号,频率分量非常丰富,肯定有52Mhz附近的频率。所以说确实会发生谐振。
MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就“歇菜”?
第二、MOS电路输入端的保护二极管,其通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件...
【电路学干货】MOS管应用概述
1、提高MOS管G极的输入串联电阻,一般该电阻阻值在1~100欧姆之间,具体值看MOS管的特性和工作频率,阻值越大,开关速度越缓。2、在MOS管GS之间并联瓷片电容,一般容量在1nF~10nF附近。看实际需求。调节电阻电容值,提高电阻和电容,降低充放电时间,减缓开关的边沿速度,这个方式特别适合于硬开关电路,消除硬开关引起的振...