昕原半导体“具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构...

半导体设备包括存储设备,分别包括与控制晶体管串联的选择器晶体管和存储单元,其中该控制晶体管连接到该存储单元。半导体设备的控制线沿第一方向延伸,并且第一控制线连接到第一存储设备控制晶体管和第二存储设备控制晶体管。字线沿第一方向延伸,并且第一字线连接到第一存储设备选择器晶体管和第二存储设备选择器晶体管。

CHIPS法案的资助推动了高密度、高速混合增益单元存储器的研究

DRAM由晶体管和电容器组成,因此可以在相对较小的空间内存储大量数据,但读取数据的速度相对较慢。SRAM的读取速度更快,但单元相对较大,由多个晶体管组成。斯坦福团队的增益单元存储器结合了DRAM的小尺寸和SRAM的快速度。增益单元与DRAM相似,但使用第二个晶体管而不是电容器来存储数据。数据以电荷的...

新存科技公布国产新型 3D 存储器参数:最高 IO 速度 3200MT/s

IT之家10月8日消息，参考IT之家此前报道，新存科技9月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，单芯片容量达64Gb。新存科技官网现在公布了NM101芯片的参数情况：可以看到NM101采用SLC存储单元类型，最高IO速度（I/O...

新存科技申请存储器及其操作方法和存储系统专利,提升存储器的操作...

专利摘要显示,本申请提供一种存储器以及存储器的操作方法,所述操作方法包括:对存储阵列中的标定存储单元,以第一电流进行重置操作;以及对所述存储阵列中与所述标定存储单元相邻的至少一个相邻存储单元,以第二电流进行弱重置操作,所述第二电流小于所述第一电流。所述操作方法与存储器并可以依据弱重置操作需求来进行弱...

一种新型存储器,结合了DRAM和SRAM的优势

DRAM可以在相对较小的空间中存储大量数据,因为它仅由一个晶体管和一个电容器组成,但读取这些数据的速度相对较慢。SRAM可以更快地读取数据,但其单元相对较大,由多个晶体管组成。斯坦福团队的增益单元内存结合了DRAM的小空间和几乎与SRAM一样快的速度。结合DRAM和SRAM的优势增益单元与DRAM类似,但...

【硬件资讯】存储器领域有新变化?美光进一步加强HBM3E性能!三星...

三星计划扩大第9代V-NANDQLC闪存的应用范围,从品牌消费类产品开始,扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,为包括云服务提供商在内的客户提供服务(www.e993.com)2024年11月10日。三星虽然在HBM内存领域上落后了,但在传统的NAND存储器领域依旧是技术储备最足的一个,这不,三星再次刷新了SK海力士此前创下的NAND闪存容量记录。我们之前一直...

台积电申请存储器单元及其制造方法专利,实现优化存储器单元结构与...

金融界2024年7月23日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“存储器单元及其制造方法”,公开号CN202410349922.7,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,一种存储器单元,包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通...

...申请存储器处理专利,专利技术能实现对存储器中失效的存储单元...

金融界2024年5月3日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储器的处理方法及处理装置、存储器“,公开号CN117976020A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本

三星申请存储器系统专利,提升存储器单元阵列的操作效率

金融界2024年1月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“存储器系统、其操作方法和存储器装置的控制器“,公开号CN117457056A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示

存储芯片,这一品类最赚钱

DRAM即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。按照产品分类，DRAM主要分为DDR、LPDDR、GDDR及新型存储HBM。DDR（DoubleDataRate）即双倍速率同步动态随机存取...