中芯国际申请 SRAM 单元以及存储器专利,提升了 SRAM 单元的性能

专利摘要显示,一种SRAM单元以及存储器,SRAM单元包括:所述栅极结构露出的有源区用于形成源漏区,且所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源漏区用于构成MOS晶体管;在所述第一下拉区中,所述第一栅极结构以及第二栅极结构均暴露出两侧的有源区,且所述第一栅极结构和第二栅极结构之间电连接,位于所述第一栅极...

上海积塔半导体申请三维存储器及其制备方法专利,节省存储单元占用...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“三维存储器及其制备方法”的专利,公开号CN118946160A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明提供了一种三维存储器及其制备方法。本发明通过将上下电极层优化为左右电极层,实现将传统横向存储单元优化为纵向存储单元,单个...

中芯国际申请存储单元及相关专利,存储单元漏电流减小

专利摘要显示,一种存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法,存储单元包括:第一反相器;第二反相器;第一访问晶体管,一端与所述第一反相器连接;第二访问晶体管,一端与所述第二反相器连接;第一节点,所述第一访问晶体管的另一端与所述第一节点连接;第二节点,所述第二访问晶体管的另一端与所述第二...

【解密】福建晋华改良DRAM单元结构解密;“微信支付”被诉侵犯扫码...

由上面两图我们可以看到,该专利提出的动态随机存取存储器元件10主要包括:基底100、存储区(记忆体区)102、周边区104、字线(字符线)110以及位线160。一般来说,基底100由硅基底、含硅基底(如SiC、SiGe)或硅覆绝缘(silicon-on-insulator,SOI)基底等构成。除了存储区102和周边区104均置在了基底100上面之外,基底1...

旺宏电子申请存储器装置及其操作方法专利,在读取操作中将对应位线...

存储器阵列包含多个串行,串行中的每一者包含多个存储器单元和至少一个补偿单元,存储器单元及至少一个补偿单元串行联耦接到多个位线中的对应位线。在读取操作中,串行中的每一者中的至少一个补偿单元具有响应于施加于至少一个补偿单元上的至少一个补偿电压的电阻,以将对应位线中的读取电流调整为电流值。电阻与耦接到...

开合可超1亿次!我国科学家研制碲开关升级新型存储器

“相变存储器由相变存储单元和开关单元构成,用一个相变存储单元加一个开关单元记录一个比特,但由于当前商用领域的开关组分复杂,制约了相变存储器在寿命和存储密度上进一步提升(www.e993.com)2024年11月19日。”宋志棠说。据文章通讯作者朱敏介绍,团队制备出60纳米至200纳米大小的碲开关器件以验证其性能。当碲处于液态时表现出金属性,可提供强大的驱...

台积电申请存储器单元及其制造方法专利,实现优化存储器单元结构与...

专利摘要显示,一种存储器单元,包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。第二传输通过门包括第三通过门晶体管和第四通过门晶体管。读取字线在衬底的前侧上方的第一金属层上。写入字线在与衬底的前侧相对的衬底的背侧下方的第二金属层上。在写入操...

...存储器件包括布置成由多个行和多个列构成的矩阵的多个存储器单元

金融界2024年4月15日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器件及其操作方法“,授权公告号CN113178215B,申请日期为2021年5月。专利摘要显示,提供了一种存储器件及其操作方法。该存储器件包括布置成由多个行和多个列构成的矩阵的多个存储器单元。矩阵的多个列中的第一列包括多个...

高通公司取得只读存储器单元阵列专利,实现更高效的存储器系统

专利摘要显示,一种只读存储器(ROM)单元阵列,包括:第一晶体管,耦合到第一字线;第二晶体管,耦合到第二字线;以及第三晶体管,设置在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间,该第三晶体管具有永久耦合到电源轨的第一栅极端子。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市有...

三星取得动态随机存取存储器装置专利,存储器单元阵列可排列为具有...

装置包括：存储器单元阵列，其包括第一子存储器单元阵列块和第二子存储器单元阵列块，所述第一子存储器单元阵列块包括多条第一子字线与多条第一奇数位线和多条伪位线之间的多个第一存储器单元，所述第二子存储器单元阵列块包括多条第二子字线与多条第二奇数位线和多条第二偶数位线之间的多个第二存储器单元...