【批判】Meta和Spotify首席执行官批判欧洲AI法规;中科院科学家...

合作者还包括北京大学博士生高涵和罗毅,北京量子院副研究员王积银、助理研究员颜世莉和吴幸军,中科院物理所博士生李国安、特聘研究员沈洁和研究员吕力,中科院半导体所研究员赵建华。该工作得到国家自然科学基金委和中国科学院青年创新促进会支持。器件加工得到北京大学校级微纳加工实验室、北京量子院微纳加工平台、北京怀柔...

第三代超导-半导体复合器件制备工艺——一种同时实现原子级异质...

Pawe??Wójcik教授、荷兰爱因霍弗理工大学ErikBakker团队、中国科学院半导体研究所赵建华研究员、潘东研究员、物理所张庆华副研究员、清华大学谷林教授等人合作,利用自己搭建的器件加工互联系统,在控制好氩气刻蚀参数的情况下,构筑了高质量的具有原子层界面和弹道输运的量子器件,解决了复合量子...

可调约瑟夫森结中多种电子态相干时间的定量研究

与吕力研究员、吕昭征副研究员、刘广同研究员、沈洁特聘研究员、中科院半导体所赵建华研究员、潘东研究员、日本理化所FrancoNori教授、乌克兰维尔金研究所SergeyShevchenko教授等合作,在基于InAs0.92Sb0.08半导体纳米线的可调门约瑟夫森结中测量到多种电荷态(单电荷、多电荷...

外籍院士张翔参加中科院第十八次院士大会并顺访半导体所

5月30日至6月3日,中国科学院外籍院士、美国加州大学伯克利分校教授张翔参加中科院第十八次院士大会。与会期间,应邀赴中科院半导体研究所进行了学术交流并在黄昆半导体科学技术论坛上作了题为Parity-TimeSymmetryPhotonics:exploitingopticallosses的报告。来自中科院半导体研究所、物理研究所、微电子研究所和北京交通大学...

半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控

最近,国际期刊《纳米快报》(NanoLetters,DOI:10.1021/acs.nanolett.8b04561)报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。InAs是一种重要的III-V族窄禁带半导体,具有电子迁移率高、有效质量小及自旋轨道耦合强等特征,是...

2022全球量子计算产业发展报告(上)|量子计算机|粒子|潘建伟|辐射|...

在材料生长和制备方面,中国科学院半导体研究所赵建华课题组利用分子束外延技术制备出高质量纯相InAs、InSb和InAsSb半导体纳米线,在此基础上实现超导体在纳米线上的低温原位外延生长,异质结界面达到原子级平整(www.e993.com)2024年11月14日。清华大学何珂-薛其坤课题组利用选区外延生长方法制备出新的半导体纳米线体系,有效降低杂质对拓扑量子器件的影响...

血液中流淌着艺术的物理大师

中国科学院半导体研究所的赵建华教授,与这其中的一位长者、美国佛罗里达州立大学物理系的StephanvonMolnár教授,有多年学术上的联系及私人友谊的累积。赵老师应编辑之邀,笔下隽永,成得此文。编者在此谨向赵老师表示谢意。1.引子说起磁性半导体研究先驱,业内人士可能会想到日本东北大学现任校长HideoOhno教授。殊...

拓扑量子计算的各种平台及最新进展

在材料生长和制备方面，中国科学院半导体研究所赵建华课题组利用分子束外延技术制备出高质量纯相InAs、InSb和InAsSb半导体纳米线，在此基础上实现了超导体在纳米线上的低温原位外延生长，异质结界面达到原子级平整。他们与清华大学合作，通过低温输运测量，观测到硬超导能隙、双电子到单电子的转变、准量子化的电导平台，...

垂直磁各向异性材料研究获进展

最近,国际期刊《先进材料》报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生朱礼军的最新研究成果——制备出室温环境中同时具有超高垂直矫顽力、超强垂直磁各向异性和大磁能积MnGa单晶铁磁薄膜。同时具有高矫顽力、高垂直磁各向异性和高磁能积的磁性材料在超高密度垂直磁记录(~10Tb/inch2)、高性能永磁体和高...

半导体所在垂直磁各向异性材料MnGa研究方面取得重要进展

最近,国际期刊《先进材料》报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生朱礼军的最新研究成果——制备出室温环境中同时具有超高垂直矫顽力、超强垂直磁各向异性和大磁能积MnGa单晶铁磁薄膜。同时具有高矫顽力、高垂直磁各向异性和高磁能积的磁性材料在超高密度垂直磁记录(~10Tb/inch2)、高性能永磁体和高...