中国科大在氮化镓半导体p-n异质结中实现独特的光电流极性反转

同时,在表面能带弯曲和p-n结内建电场共同作用下,电子向外电路漂移,被记录为正的光电流。更进一步,理论计算证实:通过在半导体p-AlGaN表面修饰贵金属Pt纳米颗粒可以有效改善氢吸附自由能并提高光电化学光探测过程中的光生载流子分离效率。据此,研究人员利用光化学还原法,成功在纳米线p-AlGaN(000-1)晶面定向修饰Pt纳米...

长鑫存储申请半导体结构及相关专利,有效提高晶体管载流子迁移率

该结构的半导体层能够使得载流子被局限于迁移率较高的沟道层中运动，因此晶体管的载流子迁移率也能够得到有效提高。本文源自：金融界作者：情报员

中国科大在半导体深紫外LED研究中取得重要进展

研究者们称这一特殊的现象为:Al,Ga元素的相分离和载流子局域化现象。值得指出的是,在铟镓氮(InGaN)基的蓝光LED体系中,In由于和Ga并不100%互溶,导致材料内部出现富In和富Ga的区域,从而产生局域态,促进的载流子的辐射复合。但在AlGaN材料体系中,Al和Ga的相分离却很少见到。而此工作的重要意义之一就在于人为调节材...

中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

重要的是,在光电探测和传感过程中,通过将化学反应过程与经典半导体物理过程相交叉,为操控载流子输运过程,实现半导体器件中的电流信号多维度调控提供了新的自由度。因此,过去两年多来,团队利用分子束外延(MBE)技术所制备的高晶体质量氮化镓(GaN)纳米线,构建了应用于日盲紫外光探测领域的光电化学光探测器[NanoLetters202...

GaN与SiC:两种流行宽禁带功率半导体对比

与传统的硅(Si)衬底相比,宽禁带材料本质上能够在更高的开关频率和更大的电场下工作。当半导体受热时,由于热激发载流子在高温下更为丰富,导致传导,其电阻往往会下降。更宽禁带的半导体需要更高的温度(更多的能量)来激发电子从价带跨越到导带。这将直接带来更强的功率处理能力和更高的器件效率。

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,提高半导体结构载流子的迁移率

金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及其结构“,公开号CN117693191A,申请日期为2022年8月(www.e993.com)2024年11月26日。专利摘要显示,本公

光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

这些缺陷态的相应能级通常处于带隙内,光生载流子容易被带隙内的缺陷态俘获形成电子和空穴极化子,并最终在表面驱动光催化反应。一方面,极化子的形成将极大地改变光生电荷的传输和迁移特性;另一方面,缺陷态的能级通常降低了导带和价带所提供的还原和氧化能力。因此,发展并完善用于表征半导体缺陷态能级和极化子性质的方法,...

兰州大学刘子桐团队《AM》:具有良好延展性和载流子迁移率的预封端...

具有柔性和可拉伸特性的有机材料是实现柔性电子器件的关键也是适应广泛应用场景的需要。其中,半导体聚合物正迅速成为极具前景的竞争者,这主要归功于其固有的机械灵活性、良好的化学适应性和溶液处理的便利性。尽管如此,在不影响载流子迁移率的情况下赋予半导体聚合物可拉伸性仍然是一个艰巨的挑战。

半导体可控掺杂:浙大实现116万尼特超亮钙钛矿LED登《自然》

进一步,团队通过器件建模和光学测量,对这些高性能钙钛矿LED的工作原理进行了探究,结果与他们先前的理解高度一致,即掺杂引起的p型导电行为和载流子复合区的变化,是这些无空穴传输层器件卓越性能的主要贡献因素。“能够控制钙钛矿半导体中载流子的极性和浓度,意味着新型器件设计和功能开发的可能性。我们研制的高亮钙钛矿LED和...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

在众多宽带隙材料中,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)尤为突出,它们不仅在开关应用中展现出巨大潜力,也在射频功率领域中展现出光明的前景。目前,业界对于GaN与SiC这两种材料的比较、它们各自适用的半导体器件,以及它们在不同开关和射频功率应用中的适应性,有着广泛而深入的讨论。